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내장형 캐패시터

  • 기술번호 : KST2015121156
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 내장형 캐패시터에 관한 것으로, 양극산화에 의하여 나노 기공 어레이가 형성된 인쇄배선기판용 내장형 캐패시터를 제공한다. 본 발명에 따르면, 공정 온도를 200℃ 이하로 낮추고, 캐패시턴스 밀도를 300 nF/cm2 이상으로 높일 수 있는 새로운 개념의 임배디드 캐패시터를 제조할 수 있다. 본 발명을 통해 구현한 실리콘 기판 위에 형성된 알루미늄/알루미나 나노 기공 캐패시터는, 150 μm 직경 상부 패드, 10 MHz 측정으로 86 nF/cm2 의 캐패시턴스 밀도를 관찰하였다.내장형 캐패시터(embedded capacitor), 양극산화(anodic oxidation), 알루미늄, 타이타늄, 인쇄배선기판(PWB)
Int. CL H05K 3/46 (2011.01) B82Y 30/00 (2011.01) H01G 4/10 (2011.01)
CPC H01G 4/10(2013.01) H01G 4/10(2013.01) H01G 4/10(2013.01)
출원번호/일자 1020050074398 (2005.08.12)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0714275-0000 (2007.04.26)
공개번호/일자 10-2007-0019432 (2007.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20070504) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.08.12)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이전국 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2005-0446564-31
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2006-0051887-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0536060-57
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0833032-76
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.12.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0924636-44
7 의견서
Written Opinion		 2006.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0924634-53
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0213342-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상면에 규칙적인 요철부가 형성된 제1전극층;상기 제1전극층 위에 형성된 균일한 두께의 금속 산화물층; 및상기 금속 산화물층 위에 형성된 제2전극층;을 포함하는 내장형 커패시터
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1전극층은 Al, Ti, Ta, Zr 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 구성되는 내장형 캐패시터
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속 산화물층은 Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 구성되는 내장형 캐패시터
4 4
기판 위에 Al, Ti, Ta, Zr 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 제1전극층을 형성하고, 상기 제1전극층을 양극산화시켜 제1전극층의 상면에 규칙적인 요철부를 형성함과 동시에 상기 요철부가 형성된 제1전극층 위에 균일한 두께의 금속 산화물층을 형성하며, 상기 금속 산화물층에 제2전극층을 형성하는 단계를 포함하는 내장형 캐패시터 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 제1전극층 표면에 나노 어레이 탐침으로 양극산화 시작점을 형성시키는 단계를 더 포함하는 내장형 캐패시터 제조방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 양극산화 단계는 1차로 양극산화를 수행하여 나노 기공 어레이를 형성하고, 상기 나노 기공 어레이를 제거하고, 2차로 양극산화를 수행하는 것을 특징으로 하는 내장형 캐패시터 제조방법
7 7
제4항에 있어서, 상기 기판은 고분자 물질이고, 상기 금속 산화물층의 형성은 최대 200℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 내장형 캐패시터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.