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Ｎｉ―Ｃｒ―Ｚｎ의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 및그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015121158
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 제조방법에 관한 것으로, 특히 짧은 시간 동안 폴리이미드 표면의 손상 없이 폴리이미드와 금속간의 접착력을 증가시키고, 고온에서도 우수한 내열성 및 내식성을 갖는 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판은 150 ~ 200 eV의 에너지와 적어도 0.5 mA/cm2의 이온 전류밀도를 갖되, 적어도 100 mW/cm2의 이온전력을 갖는 이온빔이 표면에 조사된 폴리이미드 필름; 상기 폴리이미드 필름 위에 증착되되, Ni-Cr-Zn의 삼원계 합금으로 이루어진 50 ~ 80 Å의 접착층; 및 상기 접착층 위에 도금된 구리 박막;을 포함한다.이온빔, 폴리이미드, 연성회로기판, 접착층, Ni-Cr-Zn 합금
Int. CL H05K 1/03 (2006.01)
CPC H05K 3/386(2013.01) H05K 3/386(2013.01) H05K 3/386(2013.01) H05K 3/386(2013.01)
출원번호/일자 1020050070827 (2005.08.03)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0727355-0000 (2007.06.05)
공개번호/일자 10-2007-0016297 (2007.02.08) 문서열기
공고번호/일자 (20070613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.08.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최원국 대한민국 서울특별시 양천구
2 박종용 대한민국 경상남도 밀양시
3 최형욱 대한민국 경남 마산시
4 정연식 대한민국 경상북도 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2005-0428032-42
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0614088-32
3 의견서
Written Opinion		 2006.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0930392-95
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.12.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0930402-64
5 등록결정서
Decision to grant		 2007.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0216886-60
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
150 ~ 200 eV의 에너지와 적어도 0
2 2
150 ~ 200 eV의 에너지와 적어도 0
3 3
청구항 2에 있어서,상기 이온빔은 적어도 5 × 1017/cm2의 질소 이온빔, 적어도 2 × 1017/cm2의 산소 이온빔 또는 적어도 5 × 1016/cm2의 아산화질소 이온빔 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 제조방법
4 4
청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,상기 이온빔은 적어도 5 × 1017/cm2의 질소 이온빔, 적어도 2 × 1017/cm2의 산소 이온빔 또는 적어도 5 × 1016/cm2의 아산화질소 이온빔 중에서 2가지 또는 3가지를 혼합한 것을 특징으로 하는 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 제조방법
5 5
청구항 2에 있어서,상기 Ni-Cr-Zn의 Zn 함량은 무게질량 0
6 6
청구항 2에 있어서,상기 접착층의 두께는 5 ~ 10 nm인 것을 특징으로 하는 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.