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폴리머 기질; 및상기 폴리머 기질 내에 충진된 파이로클로로(pyrochlore) 구조의 세라믹을 포함하는 복합 유전막
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제 1 항에 있어서,상기 폴리머 기질은 유기 용매 내에 폴리머를 용해시켜 얻은, 복합 유전막
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제 2 항에 있어서,상기 폴리머는 폴리이미드(polyimide), 에폭시(epoxy), 폴리아크릴레이트(poly acrylate)계, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 또는 BCB(Benzocyclo butane) 중 적어도 어느 하나인, 복합 유전막
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제 2 항에 있어서,상기 유기 용매는 DMAc(DimethylAcetamide)인, 복합 유전막
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 파이로클로로 구조의 세라믹은 Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7, Bi1
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제 2 항에 있어서,상기 세라믹의 부피는 고분자 부피의 1 내지 90 vol%인, 복합 유전막
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제 5 항에 있어서,상기 세라믹은 커플링 에이전트(coupling agent)로 처리된, 복합 유전막
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유기용매 내에 폴리머를 용해시켜 폴리머 기질을 마련하고,커플링 에이전트로 처리된 파이로클로로 구조의 세라믹 분말을 마련하고,커플링 에이전트로 처리된 파이로클로로 구조의 세라믹 입자를 상기 폴리머 기질 내에 분산시켜 현탁액을 형성하고,기판을 마련하고,상기 기판 상에 현탁액을 도포하고,열처리하는 것을 포함하는 복합 유전막 형성 방법
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제 8 항에 있어서,상기 폴리머는 폴리이미드(polyimide), 에폭시(epoxy), 폴리아크릴레이트(poly acrylate)계, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 또는 BCB(Benzocyclo butane) 중 적어도 어느 하나인, 복합 유전막 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 유기 용매는 DMAc(DimethylAcetamide)인, 복합 유전막 형성 방법
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제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 파이로클로로 구조의 세라믹은 Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7, Bi1
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제 8 항에 있어서,상기 세라믹의 부피는 고분자 부피의 1 내지 90 vol%인, 복합 유전막 형성 방법
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제 8 항에 있어서,상기 커플링 에이전트는 INAAT(isopropyltris N-aminoethyl-aminoethyl titanate) 또는 3-APTS(Aminopropyltriethoxy-silane) 중 하나인, 복합 유전막 형성 방법
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제1 전극;제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 유전막을 포함하며,상기 유전막은,폴리머 기질; 및상기 폴리머 기질 내에 충진된 파이로클로로(pyrochlore) 구조의 세라믹을 포함하는, 캐패시터
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반도체층;게이트 전극; 및상기 반도체층과 상기 게이트 전극 사이에 위치하는 게이트 절연막을 포함하며,상기 게이트 절연막은,폴리머 기질; 및상기 폴리머 기질 내에 충진된 파이로클로로(pyrochlore) 구조의 세라믹을 포함하는, 트랜지스터
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