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가스분산 플라즈마 스프레이 코팅법에 의한 탄소복합체의제조방법과 이를 이용한 이차전지 음극소재로서의 응용

  • 기술번호 : KST2015121206
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스분산 플라즈마 스프레이 코팅법에 의한 탄소복합체의 제조방법과 이를 이용한 이차전지 음극소재로서의 응용에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기존의 미세 액적 상태의 실리콘 전구체 등을 코팅한 후 건조 및 열분해 단계를 거쳐 탄소복합체를 제조하는 방법과는 달리, 대기압 내지 부압상태에서 가스매체로 부유시킨 흑연계 또는 코크스계 탄소입자 표면에, 실리콘 전구체를 플라즈마에 의하여 활성화시킨 후 플라즈마 스프레이법으로 분사하여 상기 탄소입자의 표면에 코팅하는 단일단계의 방법으로 클러스터 형태의 나노크기의 코팅층을 형성함으로써, 전도성 및 고율 충방전 특성이 우수하고, 탄소의 이론용량보다 1.5배 이상 상회하는 전극용량을 나타내며, 싸이클 특성이 우수하여 리튬이차전지용 전극활물질로 적용될 수 있는 탄소복합체를 오염 가능성이 낮은 단일공정으로 제조할 수 있는 새로운 플라즈마 스프레이 코팅법에 의한 탄소복합체의 제조방법에 관한 것이다. 플라즈마, 스프레이, 가스분산, 코팅, 고율 충방전, 싸이클 수명, 이차전지, 실리콘
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) C01B 31/00 (2011.01) C01B 33/025 (2011.01) H01M 4/133 (2011.01)
CPC C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01)
출원번호/일자 1020060061064 (2006.06.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0761000-0000 (2007.09.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071004) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이중기 대한민국 서울 강남구
2 조병원 대한민국 서울 은평구
3 김형선 대한민국 서울 용산구
4 우주만 대한민국 서울 노원구
5 김희정 대한민국 서울 송파구
6 박성용 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0473346-52
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2007-0017585-72
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0173282-51
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0394241-15
6 의견서
Written Opinion		 2007.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0394243-17
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0365652-44
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
로터가 장착된 반응기에 불활성 가스와 흑연계 또는 코크스계 탄소입자를 주입하여 반응기에 장착된 로터의 회전력에 의해 상기 탄소입자를 부유시키고,실리콘 전구체를 플라즈마에 의하여 활성화시킨 후 상기 반응기에 주입하여 탄소입자 표면에 클러스터 형태의 나노크기의 코팅층을 형성시키는 과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소복합체의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 전구체는 플라즈마에 의하여 활성화시킨 다음 플라즈마 스프레이법으로 분사시키는 것을 특징으로 하는 탄소복합체의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 전구체는 SiH4, SiH2Cl2, SiH3Cl, SiCl4, Si2Cl6 및 Si(OC2H5)4 중에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 탄소복합체의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 전구체에 금속염을 추가로 포함시키는 것을 특징으로 하는 탄소복합체의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 금속염은 Cu, Sn, Al, Bi, Sb, Ni, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co 및 Ag 중에서 선택된 금속의 질산화물 또는 염화물 중에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 탄소복합체의 제조방법
6 6
제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 실리콘 전구체에 보론(B) 또는 인(P)의 전구체를 추가로 포함시키는 것을 특징으로 하는 탄소복합체의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 보론(B) 또는 인(P)의 전구체는 B2H6, (C2H5)3B 및 PH3 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 탄소복합체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.