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집전체;상기 집전체 위에 형성되며, 초극세 섬유상(狀) 또는 나노로드상(狀) 산화티타늄을 포함하여 이루어지고, 열처리를 통해 일부 산소가 빠져나가 환원된 다공성 산화티타늄층; 및상기 산화티타늄층 위에 코팅된 금속산화물;을 포함하여 이루어진슈퍼커패시터용 전극
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제 1 항에 있어서,상기 산화티타늄층의 두께는 1∼20 ㎛인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극
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제 1 항에 있어서,상기 산화티타늄층을 구성하는 초극세 섬유의 직경은 10∼1000 ㎚인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극
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제 1 항에 있어서,상기 집전체는 티타늄, 팔라듐, 백금, 스테인리스스틸, 탄탈륨으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극
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제 1 항에 있어서,상기 금속산화물은 산화루테늄, 산화망간, 산화니켈, 산화바나듐, 산화코발트, 산화텅스텐, 산화이리듐, 산화루비듐으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극
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집전체 위에 산화티타늄 전구체 함유 용액을 방사하고 소결하여 산화티타늄층을 형성하는 단계;상기 산화티타늄층을 열처리하여 환원시키는 단계; 및상기 열처리하여 환원된 산화티타늄층 위에 금속산화물 박막을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 방사와 소결 사이에, 상기 집전체 위에 방사된 산화티타늄 전구체 층을 압착하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
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제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 산화티타늄 전구체 함유 용액은, 산화티타늄 전구체와 고분자를 함유하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 산화티타늄 전구체는 티타늄 테트라이소프로폭사이드(Titanium tetraisopropoxide), 티타늄 테트라뷰톡사이드(Titanium tetrabutoxide), 티타늄 테트라프로폭사이드(Titanium tetrapropoxide), 티타늄 테트라클로라이드(Titanium tetrachloride)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 고분자는 폴리우레탄, 폴리에테르우레탄, 폴리우레탄 공중합체, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트, 셀룰로오스 유도체, 폴리메틸메스아크릴레이트(PMMA), 폴리메틸아크릴레이트(PMA), 폴리아크릴 공중합체, 폴리비닐아세테이트, 폴리비닐아세테이트 공중합체, 폴리비닐알콜(PVA), 폴리퍼퓨릴알콜(PPFA), 폴리스틸렌, 폴리스틸렌 공중합체, 폴리에틸렌옥사이드(PEO), 폴리프로필렌옥사이드(PPO), 폴리에틸렌옥사이드 공중합체, 폴리프로필렌옥사이드 공중합체, 폴리카보네이트(PC), 폴리카보네이트 공중합체, 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리비닐클로라이드 공중합체, 폴리카프로락톤, 폴리카프로락톤 공중합체, 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리비닐피롤리돈 공중합체, 폴리비닐풀루오라이드, 폴리비닐풀루오라이드 공중합체, 폴리비닐리덴풀루오라이드, 폴리비닐리덴풀루오라이드 공중합체, 폴리아마이드로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
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제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 산화티타늄 전구체 함유 용액은, 산화티타늄 전구체와 산 촉매를 함유하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 산 촉매는 스테아릭 산(stearic acid), 아디픽 산(adipic acid), 에톡시아세틱 산(ethoxyacetic acid), 벤조익 산(benzoic acid), 니트릭 산(nitric acid)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 방사는 전기방사, 멜트블로운 방사(meltblown spinning), 플래쉬 방사(flash spinning) 또는 일렉트로블로잉(electro-blowing)법인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
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14
제 6 항에 있어서,상기 소결은 400∼550 ℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 열처리는 수소, 질소, 아르곤 또는 이들의 혼합기체를 충진한 전기로에서 700∼1000 ℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 금속산화물 박막의 형성은, 열처리된 산화티타늄층이 형성된 집전체를 금속산화물 전구체 용액에 침지한 후, 일정 전류법 또는 순환전위 전류법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
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제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 금속산화물 박막 형성 후, 150∼250 ℃에서 추가적으로 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
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