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적어도 두 개의 간섭계 암(arm)들을 갖는 최소 1㎛ 두께의 코어 및 이 코어를 둘러싸는 클래드를 포함하여 이루어진 단일모드 광도파로와, 상기 암들 중 적어도 하나의 일부가 노출되도록 상기 클래드의 일부가 오픈된 영역인 감지부를 포함하는단일모드 광도파로를 구비한 고감도 간섭계형 센서
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제 1 항에 있어서,상기 노출된 암 부위에 자가조립층(Self-Assembled Monolayer; SAM)이 형성된 것을 특징으로 하는 단일모드 광도파로를 구비한 고감도 간섭계형 센서
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제 1 항에 있어서,상기 코어는 전체 높이가 H인 판형의 코어재료층이 일정 깊이 D(D＜H)만큼 패턴 에칭되어 폭이 W이고 높이가 D인 간섭계 형상의 립(rib)을 갖도록 형성된 구조인 것을 특징으로 하는 단일모드 광도파로를 구비한 고감도 간섭계형 센서
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제 1 항에 있어서,상기 코어의 양 말단 부위에 형성된 광섬유 결합부를 더 포함하며, 상기 광섬유 결합부는 상기 광도파로의 양 측면에서 각각 내측으로 만입된 홈 영역인 것을 특징으로 하는 단일모드 광도파로를 구비한 고감도 간섭계형 센서
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제 1 항에 있어서,상기 광도파로는 Si 계열의 화합물, 폴리머 계열의 물질, 혹은 이들을 혼합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 단일모드 광도파로를 구비한 고감도 간섭계형 센서
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제 1 항에 있어서,상기 간섭계는 마흐-젠더 간섭계(Mach-Zehnder) 또는 영 간섭계(Young's interferometer)인 것을 특징으로 하는 단일모드 광도파로를 구비한 고감도 간섭계형 센서
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기판 또는 하부 클래드층 위에 최소 1㎛ 두께의 코어재료층을 형성하는 제1 공정과,상기 코어재료층의 일부를 포토리소그래피 및 에칭 공정을 이용하여 제거함으로써 적어도 2개의 간섭계 암(arm)들을 갖는 최소 1㎛ 두께의 코어층을 정의하는 제2 공정과,상기 코어층을 상부 클래드층으로 덮는 제3 공정과,상기 암들 중 적어도 하나의 일부가 노출되도록 상기 상부 클래드층의 일부를 오픈하는 제4 공정을 포함하는단일모드 광도파로를 구비한 고감도 간섭계형 센서의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 제1 공정에서, 코어재료층의 형성시 유입되는 가스 유량비를 변화시켜 코어재료층의 굴절률을 조절하는 것을 특징으로 하는 단일모드 광도파로를 구비한 고감도 간섭계형 센서의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 코어재료층은 비화학양론적 실리콘산화물(SiOx, x≠2)로 Si:O의 비율을 변화시켜 굴절률을 조절하는 것을 특징으로 하는 단일모드 광도파로를 구비한 고감도 간섭계형 센서의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 제1 공정에서 상기 코어재료층은 열 증착(thermal evaporation)법, E-빔 증착법, 화학기상증착(CVD)법, PECVD(Plasma-Enhanced CVD)법, 또는 스퍼터링법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 단일모드 광도파로를 구비한 고감도 간섭계형 센서의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,제4 공정 후에, 상기 노출된 암 부위에 자가조립층(Self-Assembled Monolayer; SAM)을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단일모드 광도파로를 구비한 고감도 간섭계형 센서의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 자가조립층 형성 공정은, 상기 노출된 암 부위가 아민기(-NH2)를 갖도록 화학 처리하고, 형성된 아민기와 결합 가능한 알데히드기(-CHO)를 가진 칼릭스크라운(calixcrown)으로 자가조립층을 형성하는 것을 특징으로 하는 단일모드 광도파로를 구비한 고감도 간섭계형 센서의 제조 방법
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적어도 두 개의 간섭계 암(arm)들을 갖는 코어 및 이 코어를 둘러싸는 클래드를 포함하여 이루어진 단일모드 광도파로의 제조 방법에 있어서,유한요소법 시뮬레이션을 이용하여 코어의 구조 변수에 따라 단일모드를 가질 수 있는 굴절률 조건을 찾아내고,코어의 증착 조건을 변화시켜 증착 물질의 분율 및 이에 따른 굴절률을 조절함으로써 상기 단일모드를 가질 수 있는 굴절률 조건에 맞추는 것을 특징으로 하는단일모드 광도파로의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 코어의 두께를 최소 1㎛로 정하고 시뮬레이션하는 것을 특징으로 하는 단일모드 광도파로의 제조 방법
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