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신호빔이 전파되는 광 전달부; 및
상기 광 전달부에 광학적으로 연결되어 상기 광 전달부로부터 도파모드 각도로 전파된 상기 신호빔이 입사되며, 상기 신호빔이 입사된 지점과 동일한 지점에 펌프빔이 입사되는 광도파로를 포함하되,
상기 신호빔의 파장과 상기 펌프빔의 파장은 서로 상이하며,
상기 펌프빔에 의하여 상기 광도파로의 도파모드 각도가 결정되는 것을 특징으로 하는 광소자
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제 1항에 있어서,
상기 광 전달부는,
상기 신호빔이 입사되어 전파되는 프리즘; 및
상기 프리즘에 광학적으로 연결되어, 도파모드 각도로 전파된 상기 신호빔을 상기 광도파로에 커플링하는 커플링층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
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제 2항에 있어서,
상기 프리즘 및 상기 커플링층 사이에 위치하며 광학적으로 투명한 기판; 및
상기 기판 및 상기 프리즘 사이에 위치하며 상기 기판과 상기 프리즘을 접합하는 인덱스 매칭 오일층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
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제 2항에 있어서,
상기 신호빔 및 상기 펌프빔을 포함하는 평면 방향을 따른 상기 프리즘의 단면은 반구 형상인 것을 특징으로 하는 광소자
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신호빔 및 펌프빔이 전파되는 광 전달부; 및
상기 광 전달부에 광학적으로 연결되며, 상기 펌프빔 및 상기 광 전달부로부터 도파모드 각도로 전파된 상기 신호빔이 동일한 위치에 입사되는 광도파로를 포함하되,
상기 신호빔의 파장 및 상기 펌프빔의 파장은 서로 상이하며,
상기 펌프빔에 의하여 상기 광도파로의 도파모드 각도가 결정되는 것을 특징으로 하는 광소자
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제 5항에 있어서,
상기 광 전달부는,
상기 펌프빔이 입사되는 제1 면 및 상기 제1 면과 평행하며 상기 제1 면과 이격하여 위치하는 제2 면을 포함하는 프리즘; 및
상기 프리즘의 상기 제2 면에 광학적으로 연결되며, 상기 펌프빔 및 상기 프리즘으로부터 도파모드 각도로 전파된 상기 신호빔을 상기 광도파로에 커플링하는 커플링층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
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7
제 6항에 있어서,
상기 광 전달부는,
상기 프리즘의 상기 제1 면에 광학적으로 연결된 접합층; 및
상기 접합층에 광학적으로 연결되어, 상기 펌프빔을 상기 프리즘에 입사하는 광원부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
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제 7항에 있어서,
상기 광원부는, 어레이(array) 형태로 배열된 복수 개의 광원을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
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제 1항 또는 제 5항에 있어서,
상기 광 전달부는, 상기 광도파로에 광학적으로 연결된 표면 격자를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
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10
제 1항 또는 제 5항에 있어서,
상기 광 전달부는 상기 광도파로의 한쪽 면에 연결되며,
상기 광도파로의 다른쪽 면에 광학적으로 연결되어, 상기 광도파로에 입사된 상기 신호빔을 출사시키는 표면 격자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
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11
제 1항 또는 제 5항에 있어서,
상기 광도파로는, 금속 나노입자 또는 반도체 나노입자가 광학적으로 투명한 기지상 재료내에 분산되어 형성된 나노복합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
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12
제 11항에 있어서,
상기 금속 나노입자는, Au, Ag, Cu, Al, In, Sn, Pb, Sb, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ta, W, Pt 및 상기 물질의 합금으로 이루어진 군 중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 광소자
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13
제 11항에 있어서,
상기 반도체 나노입자는, Si, Ge, CdS, CdSe, CdTe, CuBr, AgBr, CuCl, InP, GaP, GaAs, InAs 및 상기 물질들 사이의 고용체 및 화합물로 이루어진 군 중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 광소자
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14
제 11항에 있어서,
상기 투명 기지상 재료는, SiO2, TiO2, ZrO2, HfO2, Al2O3, CdO, ZnO, In2O3, SnO2, Ga2O3, Y2O3, BeO, MgO, WO3, V2O3, BaTiO3 및 PbTiO3 를 포함하는 산화물; Si3N4 및 Al3N4 를 포함하는 질화물; InP 및 GaP 를 포함하는 인화물; ZnS 및 As2S3 를 포함하는 황화물; MgF2, CaF2, NaF, BaF2, PbF2, LiF 및 LaF 를 포함하는 불화물; ZnSe 를 포함하는 셀레나이드; 상기 산화물, 질화물, 인화물, 황화물, 불화물 및 셀레나이드 중 하나 이상의 혼합물을 포함하는 무기재료; 폴리카보네이트(Polycarbonate) 및 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate;PMMA)를 포함하는 유기재료; 상기 유기재료의 혼합물; 및 상기 유기재료의 복합물로 이루어진 군 중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 광소자
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15
제 2항 또는 제 6항에 있어서,
상기 커플링층의 복소 굴절율의 실수항이 상기 프리즘의 굴절율 및 상기 광도파로의 굴절율보다 작은 것을 특징으로 하는 광소자
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16
제 2항 또는 제 6항에 있어서,
상기 커플링층은 MgF2 를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
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17
제 2항 또는 제 6항에 있어서,
상기 커플링층은 Au, Ag 및 Cu 를 포함하는 금속 및 상기 금속을 포함하는 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
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18
제 1항 또는 제 5항에 따른 광소자의 작동 방법에 있어서,
상기 광도파로에 도파모드 각도로 입사되기 위한 상기 신호빔을 상기 광 전달부에 입사시키는 단계; 및
상기 광도파로에 상기 신호빔이 입사된 지점과 동일한 지점에 상기 광도파로의 도파모드 각도를 결정하는 상기 펌프빔을 입사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자의 작동 방법
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