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산화아연계 투명도전성 박막 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015121371
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 자유전하 농도가 낮아도 결정립계 산란에 의한 자유전하 이동도 저하 현상을 개선할 수 있으며, 적정한 자유전하 농도에서도 높은 자유전하 이동도가 유지될 수 있는 산화아연계 투명도전성 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 산화아연계 투명도전성 박막은 산화아연에 할로겐족 음이온성 원소와 수소가 도핑되거나 산화아연에 할로겐족 음이온성 원소, 수소 및 3족 양이온성 금속원소가 도핑된 것을 특징으로 하며, 산화아연에 할로겐족 음이온성 원소와 수소가 도핑된 경우, 자유전하 농도가 낮더라도 결정립계 산란에 의한 자유전하 이동도 저하 현상이 최소화되며, 산화아연에 할로겐족 음이온성 원소, 수소 및 3족 양이온성 금속원소를 도핑한 경우, 적정의 자유전하 농도가 담보됨과 함께 높은 자유전하 이동도가 유지된다. 산화아연, 자유전하농도, 자유전하이동도
Int. CL	B32B 15/00 (2006.01) G02F 1/1343 (2006.01)
CPC	G02F 1/13439(2013.01) G02F 1/13439(2013.01) G02F 1/13439(2013.01) G02F 1/13439(2013.01)
출원번호/일자	1020080038154 (2008.04.24)
출원인	한국과학기술연구원
등록번호/일자	10-0979483-0000 (2010.08.26)
공개번호/일자	10-2009-0112333 (2009.10.28) 문서열기
공고번호/일자	(20100903) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2008.04.24)
심사청구항수	22

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술연구원	대한민국	서울특별시 성북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김원목	대한민국	서울 노원구
2	정병기	대한민국	서울 성동구
3	이경석	대한민국	서울 종로구
4	이택성	대한민국	서울 노원구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김영철	대한민국	서울특별시 종로구 종로길 , *층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2	김 순 영	대한민국	서울특별시 종로구 종로길 , *층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술연구원	대한민국	서울특별시 성북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2008.04.24	수리 (Accepted)	1-1-2008-0293546-89
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2009.02.04	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2009.03.18	수리 (Accepted)	9-1-2009-0017347-92
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2009-5247056-16
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2010.01.04	불수리 (Non-acceptance)	1-1-2010-0000626-09
6	서류반려이유통지서 Notice of Reason for Return of Document	2010.01.05	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2010-0000693-30
7	[반려요청]서류반려요청(반환신청)서 [Request for Return] Request for Return of Document	2010.01.06	수리 (Accepted)	1-1-2010-0005274-92
8	서류반려통지서 Notice for Return of Document	2010.01.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2010-0001284-48
9	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2010.01.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0019211-45
10	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2010.03.04	수리 (Accepted)	1-1-2010-0138172-18
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2010.04.07	수리 (Accepted)	1-1-2010-0220373-46
12	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2010.04.07	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2010-0220372-01
13	등록결정서 Decision to grant	2010.08.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0365332-32
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.02.19	수리 (Accepted)	4-1-2014-5022002-69

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 삭제
2	2 산화아연에 할로겐족 음이온성 원소, 수소 및 3족 양이온성 금속원소가 도핑되며, 상기 3족 양이온성 금속원소는 0보다 크고 1at% 이하로 도핑된 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 할로겐족 음이온성 원소는 0
4	4 삭제
5	5 제 2 항에 있어서, 상기 할로겐족 음이온성 원소는 F, Cl, Br, I 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막
6	6 제 2 항에 있어서, 상기 3족 양이온성 금속원소는 Al, Ga, B, In, Sc, Fe, Cr 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막
7	7 삭제
8	8 산화아연에 할로겐족 음이온성 원소, 수소 및 3족 양이온성 금속원소가 도핑된 박막을 제조하며, 상기 3족 양이온성 금속원소는 0보다 크고 1at% 이하로 도핑되는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막 제조방법
9	9 제 8 항에 있어서, 물리적 기상 증착법 또는 화학적 기상 증착법을 이용하여 박막을 제조하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막 제조방법
10	10 제 8 항에 있어서, 상기 할로겐족 음이온성 원소는 0
11	11 삭제
12	12 제 9 항에 있어서, 상기 물리적 기상 증착법을 이용하는 경우, 3족 양이온성 금속원소가 함유된 산화아연 타겟, 할로겐족 음이온성 원소가 함유된 산화아연 타겟, 3족 양이온성 금속원소와 할로겐족 음이온성 원소가 모두 함유된 산화아연 타겟 중 어느 하나를 이용하고, 공정 가스로 수소 또는 수소를 포함하는 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막 제조방법
13	13 제 9 항에 있어서, 상기 물리적 기상 증착법 또는 화학적 기상 증착법을 이용하는 경우, 3족 양이온성 금속원소가 도핑된 산화아연계 투명도전성 박막, 할로겐족 음이온성 원소가 도핑된 산화아연계 투명도전성 박막, 3족 양이온성 금속원소와 할로겐족 음이온성 원소가 모두 도핑된 산화아연계 투명도전성 박막 중 어느 하나에 대해 수소 또는 수소를 포함하는 가스 분위기 하에서 열처리를 진행하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막 제조방법
14	14 제 9 항에 있어서, 상기 물리적 기상 증착법 또는 화학적 기상 증착법을 이용하는 경우, 3족 양이온성 금속원소가 도핑된 산화아연계 투명도전성 박막, 할로겐족 음이온성 원소가 도핑된 산화아연계 투명도전성 박막, 3족 양이온성 금속원소와 할로겐족 음이온성 원소가 모두 도핑된 산화아연계 투명도전성 박막 중 어느 하나에 대해 수소 또는 수소를 포함하는 플라즈마를 이용하여 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막 제조방법
15	15 제 12 항에 있어서, 상기 3족 양이온성 금속원소가 함유된 산화아연 타겟을 이용하는 경우, 수소 및 할로겐족 음이온성 원소가 함께 포함된 가스를 공정 가스로 이용하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막 제조방법
16	16 제 13 항에 있어서, 상기 3족 양이온성 금속원소가 도핑된 산화아연계 투명도전성 박막에 대해 열처리를 진행하는 경우, 수소 및 할로겐족 음이온성 원소가 함께 포함된 가스를 공정 가스로 이용하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막 제조방법
17	17 제 14 항에 있어서, 3족 양이온성 금속원소가 도핑된 산화아연계 투명도전성 박막에 대해 플라즈마 처리를 진행하는 경우, 상기 플라즈마에 수소 및 할로겐족 음이온성 원소가 함께 포함된 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막 제조방법
18	18 제 9 항에 있어서, 상기 화학적 기상 증착법을 이용하는 경우, 산화아연계 투명도전성 박막을 형성하는 경우에는 할로겐족 음이온성 원소가 포함된 전구체(precursor) 또는 3족 양이온성 금속원소와 할로겐족 음이온성 원소가 모두 포함된 전구체를 전구체로서 이용하고, 수소 또는 수소가 포함된 가스를 공정 가스로 이용하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막 제조방법
19	19 제 18 항에 있어서, 상기 전구체에 수소가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막 제조방법
20	20 제 18 항에 있어서, 상기 공정 가스로 수소 및 할로겐족 음이온성 원소가 함께 포함된 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막 제조방법
21	21 제 9 항에 있어서, 상기 물리적 기상 증착법으로 스퍼터링 방법 또는 펄스 레이저 증착 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막 제조방법
22	22 제 8 항에 있어서, 상기 할로겐족 음이온성 원소는 F, Cl, Br, I 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막 제조방법
23	23 제 8 항에 있어서, 상기 3족 양이온성 금속원소는 Al, Ga, B, In, Sc, Fe, Cr 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막 제조방법
24	24 제 8 항에 있어서, 상기 박막은 유리 또는 플라스틱 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막 제조방법
25	25 제 8 항에 있어서, 제조된 산화아연계 투명도전성 박막에 대해 열처리 공정을 적용하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막 제조방법
26	26 제 25 항에 있어서, 상기 열처리는 진공 하에서 200∼500℃의 온도로 20∼200분 진행하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막 제조방법

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특허 등록번호	10-0979483-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20080424 출원 번호 : 1020080038154 공고 연월일 : 20100903 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100823 청구범위의 항수 : 22 유별 : G02F 1/1343 발명의 명칭 : 산화아연계 투명도전성 박막 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	451,500 원	2010년 08월 27일	납입
제 4 년분	금 액	524,000 원	2013년 07월 31일	납입
제 5 년분	금 액	366,800 원	2014년 07월 29일	납입
제 6 년분	금 액	366,800 원	2015년 07월 30일	납입
제 7 년분	금 액	936,000 원	2016년 08월 04일	납입
제 8 년분	금 액	655,200 원	2017년 07월 28일	납입
제 9 년분	금 액	468,000 원	2018년 07월 27일	납입
제 10 년분	금 액	725,000 원	2019년 08월 02일	납입
제 11 년분	금 액	725,000 원	2020년 07월 27일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2008.04.24	수리 (Accepted)	1-1-2008-0293546-89
2	선행기술조사의뢰서	2009.02.04	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2009.03.18	수리 (Accepted)	9-1-2009-0017347-92
4	출원인정보변경(경정)신고서	2009.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2009-5247056-16
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2010.01.04	불수리 (Non-acceptance)	1-1-2010-0000626-09
6	서류반려이유통지서	2010.01.05	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2010-0000693-30
7	[반려요청]서류반려요청(반환신청)서	2010.01.06	수리 (Accepted)	1-1-2010-0005274-92
8	서류반려통지서	2010.01.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2010-0001284-48
9	의견제출통지서	2010.01.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0019211-45
10	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2010.03.04	수리 (Accepted)	1-1-2010-0138172-18
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2010.04.07	수리 (Accepted)	1-1-2010-0220373-46
12	[명세서등 보정]보정서	2010.04.07	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2010-0220372-01
13	등록결정서	2010.08.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0365332-32
14	출원인정보변경(경정)신고서	2014.02.19	수리 (Accepted)	4-1-2014-5022002-69

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