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저온소성용 저유전율 세라믹 유전체 조성물 및 저유전율 세라믹 유전체

  • 기술번호 : KST2015121412
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온소성용 저유전율 세라믹 유전체 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 설명을 하면, SiO2, B2O3, Al2O3, 알칼리토류 산화물 및 알칼리 금속산화물을 함유하는 보로실리케이트 유리프리트 44 ~ 65 중량%; 충전재 34 ~ 55 중량%; 및 ZrO2, TiO2, La2O3 및 WO3 중에서 선택된 단종 또는 2 종 이상의 핵 형성제 0.1 ~ 5 중량%;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다. 본 발명의 상기 저유전율 세라믹 유전체 조성물은 800 ~ 950℃에서 저온소성이 가능하고, 상기 조성물을 이용하여 제조된 저유전율 세라믹 유전체는 4.5 ~ 6.0(1 MHz)의 낮은 유전율 및 낮은 유전손실율을 갖는 바, 신호전송속도를 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라, 유리프리트를 부분적으로 결정화시켰기 때문에 200 MPa 이상의 기계적 강도를 갖기 때문에 내충격성이 강한 고집적 전자부품, 안테나 부품, 기판, 특히 저온 동시소성세라믹(LTCC, Low Temperature Co-fired Ceramic) 기판의 제조에 적합하다. 저온소성, 유전율, 세라믹 유전체, 유리프리트, 핵 형성제
Int. CL C04B 35/18 (2006.01) C04B 35/19 (2006.01) C04B 35/14 (2006.01) C04B 35/195 (2006.01)
CPC H01G 4/129(2013.01) H01G 4/129(2013.01)
출원번호/일자 1020080122940 (2008.12.05)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1038772-0000 (2011.05.27)
공개번호/일자 10-2010-0064488 (2010.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20110603) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.05)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정현 대한민국 경기도 안산시 상록구
2 박재관 대한민국 서울특별시 노원구
3 이항원 대한민국 서울특별시 서대문구
4 김동완 대한민국 서울특별시 금천구
5 최경진 대한민국 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영우 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)(한라특허법인(유한))
2 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
3 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)
4 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0839054-89
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2010-0009318-59
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0664517-15
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0483801-89
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0721609-99
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0721607-08
9 등록결정서
Decision to grant
2011.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0114333-03
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
11 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent
2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
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번호 청구항
1 1
SiO2, B2O3, Al2O3, 알칼리토류 산화물 및 알칼리 금속산화물을 함유하는 보로실리케이트 유리프리트 44 ~ 65 중량%; Al2O3, SiO2, 3Al2O3· 2SiO2, (Mg,Fe3+)2Al4Si5O18, MgAl2O4, MgSiO3, Mg2SiO4, MgB2O4, SrSiO3, SrAl2Si2O8, SrB2O4, ZnAl2O4, 및 ZrSiO4 중에서 선택된 단종 또는 2 종 이상의 충전재 34 ~ 55 중량%; 및 ZrO2, TiO2, La2O3 및 WO3 중에서 선택된 단종 또는 2 종 이상의 핵 형성제 0
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 보로실리케이트 유리프리트는 평균입도 1 ~ 4 ㎛인 것을 특징으로 하는 저온소성용 저유전율 세라믹 유전체 조성물
3 3
제 1 항 또는 제 2 항의 상기 세라믹 유전체 조성물을 800℃ ~ 950℃에서 저온소성시켜 제조한 저유전율 세라믹 유전체
4 4
제 3 항에 있어서, 유전율 4
5 5
제 4 항에 있어서, 월라스토나이트, 팬키나이트, 라마이트, 해트루라이트, 다이옵사이드, 애노사이트 중에서 선택된 단종 또는 2 종 이상의 결정상을 포함하는 것을 특징으로 하는 저유전율 세라믹 유전체
6 6
SiO2, B2O3, Al2O3, 알칼리토류 산화물 및 알칼리 금속산화물을 건식혼합 후, 1450 ~ 1650 ℃에서 용융하고 급냉하여 유리를 얻는 제 1 단계; 상기 유리를 조분쇄 및 미분쇄시켜서 평균입도 1 ~ 4 ㎛ 크기를 갖는 보로실리케이트 유리프리트를 얻는 제 2 단계; Al2O3, SiO2, 3Al2O3· 2SiO2, (Mg,Fe3+)2Al4Si5O18, MgAl2O4, MgSiO3, Mg2SiO4, MgB2O4, SrSiO3, SrAl2Si2O8, SrB2O4, ZnAl2O4, 및 ZrSiO4 중에서 선택된 단종 또는 2 종 이상의 혼합물을 분쇄하여 혼합 분말을 얻은 후, 이를 1,000 ~ 1,200℃ 범위에서 2 ~ 3 시간 공기 중에서 하소시켜서 충전재를 얻는 제 3 단계; 및 상기 보로실리케이트 유리프리트와 상기 충전재 및 ZrO2, TiO2, La2O3 및 WO3 중에서 선택된 단종 또는 2 종 이상의 핵 형성제를 혼합한 후, 이를 800 ~ 950℃에서 소성시키는 제 4 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 저유전율 세라믹 유전체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP04880022 JP 일본 FAMILY
2 JP22132540 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2010132540 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP4880022 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.