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1
기판;
상기 기판 상에 위치하는 CrV 하지층; 및
상기 CrV 하지층 상에 위치하는 FePt 자성 박막을 포함하는 자기 기록 매체
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2
제1항에서, 기판은 글라스 기판, 실리콘 기판, 실리콘 산화물 기판 또는 마그네슘 산화물 기판인 자기 기록 매체
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3
제1항에서, CrV 하지층의 조성은 Cr99V1 내지 Cr70V30 범위의 값을 가지는 자기 기록 매체
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4
제1항에서, CrV 하지층의 두께는 1nm 내지 150nm인 자기 기록 매체
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5
제1항에서, FePt 자성박막의 합금 조성은 FePt40Pt60 내지 FePt60Pt40 범위의 값을 가지는 자기 기록 매체
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6
제1항에서, FePt 자성박막의 두께는 4nm 내지 50nm인 자기 기록 매체
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7
제1항에서, CrV 하지층 및 FePt 자성 박막의 사이에 Pt 중간층을 더 포함하는 자기 기록 매체
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8
제7항에서, Pt 중간층의 두께는 0
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9
기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상에 CrV 하지층을 형성하는 단계; 및
상기 CrV 하지층 상에 FePt 자성 박막을 형성하는 단계를 포함하는 자기 기록 매체 제조 방법
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10
제9항에서, 기판은 글라스 기판, 실리콘 기판, 실리콘 산화물 기판, 또는 마그네슘 산화물 기판인 자기 기록 매체 제조 방법
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11
제9항에서, CrV 하지층은 직류 마그네트론 스퍼터링법 또는 교류 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 증착되는 자기 기록 매체 제조 방법
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12
제9항에서, CrV 하지층은 직류 마그네트론 스퍼터링법 및 교류 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 증착되는 자기 기록 매체 제조 방법
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13
제9항에서, CrV 하지층은 200℃ 내지 500℃ 범위 내에서 형성되는 자기 기록 매체 제조 방법
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14
제9항에서, CrV 하지층의 조성은 Cr99V1 내지 Cr70V30 범위의 값을 가지는 자기 기록 매체 제조 방법
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15
제9항에서, CrV 하지층의 두께는 1nm 내지 150nm인 자기 기록 매체 제조 방법
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16
제9항에서, FePt 자성박막은 직류 마그네트론 스퍼터링법 또는 교류 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 형성되는 자기 기록 매체 제조 방법
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17
제9항에서, FePt 자성박막은 직류 마그네트론 스퍼터링법 및 교류 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 형성되는 자기 기록 매체 제조 방법
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18
제9항에서, FePt 자성박막의 합금 조성은 FePt40Pt60 내지 FePt60Pt40 범위의 값을 가지는 자기 기록 매체 제조 방법
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19
제9항에서, FePt 자성박막은 200℃ 내지 400℃ 범위에서 형성되는 자기 기록 매체 제조 방법
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20
제9항에서, FePt 자성박막은 4nm 내지 50nm의 두께로 형성되는 자기 기록 매체 제조 방법
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21
제9항에서, 상기 CrV 하지층 상에 FePt 자성박막을 형성하기 전에, CrV 하지층 상에 Pt 중간층을 형성하는 단계를 더 포함하는 자기 기록 매체 제조 방법
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22
제21항에서, Pt 중간층의 두께는 0
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23
제21항에서, Pt 중간층은 직류 마그네트론 스퍼터링법 또는 교류 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 증착되는 자기 기록 매체 제조 방법
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24
제21항에서, Pt 중간층은 직류 마그네트론 스퍼터링법 및 교류 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 증착되는 자기 기록 매체 제조 방법
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