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나노컴포지트 열전소재 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015121534
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속물질을 기반으로 한 열전소재 및 그 제조방법으로서, 열전소재 매트릭스 및 상기 매트릭스 내에 분산된 나노 구조체를 포함하는 열전소재가 제공되며, 상기 열전소재는 간단하고 저렴한 스퍼터링, 또는 용융 및 냉각 방식 등으로 제조될 수 있고, 그 제조된 열전소재는 열전도도가 낮아 원하는 열전 성능을 갖는다.
Int. CL H01L 35/18 (2006.01) H01L 35/14 (2006.01) H01L 35/16 (2006.01)
CPC H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01)
출원번호/일자 1020100093060 (2010.09.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0031593 (2012.04.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120086766;
심사청구여부/일자 Y (2010.09.27)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진상 대한민국 서울특별시 동작구
2 김광천 대한민국 경기도 안산시 단원구
3 최원철 대한민국 서울특별시 양천구
4 서상희 대한민국 서울특별시 마포구
5 윤석진 대한민국 서울특별시 도봉구
6 최지원 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0617558-96
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0069850-57
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0633501-51
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0002566-73
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0002568-64
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0294302-09
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.06.20 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2012-0490232-07
9 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2012.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0394655-12
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0394656-68
11 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2012.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0634285-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비스무트(Bi) 및 텔루륨(Te)을 포함하는 열전소재 매트릭스; 및상기 매트릭스 내에 분산된, 인듐(In) 및 셀레늄(Se)을 포함하는 나노 구조체를 포함하는 열전소재
2 2
제 1 항에 있어서,상기 열전소재 매트릭스는, (Bi1-aSba)2(Se1-bTeb)3 의 조성을 갖고, 여기서 a, b는 몰비로서 0 에서 1의 값을 가지는 열전소재
3 3
제 2 항에 있어서,상기 열전소재는 하기 화학식 1 또는 2의 조성을 갖는 열전소재
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 구조체는 크기가 10㎛ 이하인 열전소재
5 5
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열전소재는 열전성능지수 값 ZT가 1 이상인 열전소재
6 6
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열전소재는 스퍼터링 방식, 또는 용융 및 냉각 방식에 의해 제조된 열전소재
7 7
제 6 항에 있어서,상기 열전소재는 스퍼터링 방식에 의해 제조된 것이며,상기 스퍼터링 방식은,비스무트(Bi) 및 텔루륨(Te)을 포함하는 스퍼터링 타겟과, 인듐(In) 및 셀레늄(Se)을 포함하는 스퍼터링 타겟을 동시에 스퍼터링하는 것을 포함하는 열전소재
8 8
제 6 항에 있어서,상기 열전소재는 용융 및 냉각 방식에 의해 제조된 것이며,상기 용융 및 냉각 방식은,열전소재 매트릭스 및 나노 구조체를 구성하는 원소를 용융하는 단계;상기 용융에 의해 얻어진 용융물을 급냉시키는 단계; 및급냉된 용융물에 열처리하여 나노 구조를 형성시키는 단계를 포함하는 열전소재
9 9
열전소재 매트릭스; 및상기 매트릭스 내에 분산된 나노 구조체를 포함하는 열전소재로서,상기 열전소재는 스퍼터링 방식, 또는 용융 및 냉각 방식에 의해 제조된 열전소재
10 10
제 9 항에 있어서,상기 열전소재 매트릭스는 비스무트(Bi) 및 텔루륨(Te)을 포함하는 열전소재
11 11
제 9 항에 있어서,상기 나노 구조체는, 인듐(In) 및 셀레늄(Se)을 포함하는 열전소재
12 12
제 9 항에 있어서, 상기 열전소재는 하기 화학식 1 또는 2의 조성을 갖는 열전소재
13 13
제 9 항에 있어서,상기 열전소재는 열전성능지수 값 ZT가 1 이상인 열전소재
14 14
제 9 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열전소재는 스퍼터링 방식에 의해 제조된 것이며,상기 스퍼터링 방식은,열전소재 매트릭스를 위한 스퍼터링 타겟과, 나노 구조체를 위한 스퍼터링 타겟을 동시에 스퍼터링하는 것을 포함하는 열전소재
15 15
제 9 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열전소재는 용융 및 냉각 방식에 의해 제조된 것이며,상기 용융 및 냉각 방식은,열전소재 매트릭스 및 나노 구조체를 구성하는 원소를 용융하는 단계;상기 용융에 의해 얻어진 용융물을 급냉시키는 단계; 및급냉된 용융물에 열처리하여 나노 구조를 형성시키는 단계를 포함하는 열전소재
16 16
열전소재를 제조하는 방법으로서,상기 열전소재는, 열전소재 매트릭스; 및 상기 매트릭스 내에 분산된 나노 구조체를 포함하는 열전소재이고,상기 방법은,열전소재 매트릭스를 위한 스퍼터링 타겟과 나노 구조체를 위한 스퍼터링 타겟을 동시에 스퍼터링하는 것을 포함하는 열전소재의 제조방법
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 열전소재는 하기 화학식 1 또는 2의 조성을 갖는 열전소재
18 18
제 16 항에 있어서,상기 열전소재는 열전성능지수 값 ZT가 1 이상인 열전소재의 제조방법
19 19
제 16 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 방법은,원하는 열전소재의 조성을 얻기 위해 요구되는 스퍼터링 파워를 결정하는 단계; 및상기 결정된 스퍼터링 파워에서 스퍼터링하는 단계를 포함하는 열전소재의 제조방법
20 20
제 19 항에 있어서,상기 스퍼터링 파워를 결정하는 단계는,열전소재 매트릭스의 스퍼터링 타겟과 나노 구조체의 스퍼터링 타겟을 별개로 스퍼터링하고, 그 결과 얻어진 각 필름의 두께를 측정하여 비교하는 것을 포함하는 열전소재의 제조방법
21 21
열전소재를 제조하는 방법으로서,상기 열전소재는, 열전소재 매트릭스; 및 상기 매트릭스 내에 분산된 나노 구조체를 포함하는 열전소재이고,상기 방법은,열전소재 매트릭스 및 나노 구조체를 구성하는 원소를 함께 용융하는 단계;상기 용융에 의해 얻어진 용융물을 급냉시키는 단계; 및급냉된 용융물에 열처리하여 나노 구조를 형성시키는 단계를 포함하는 열전소재의 제조방법
22 22
제 21 항에 있어서, 상기 열전소재는 하기 화학식 1 또는 2의 조성을 갖는 열전소재
23 23
제 21 항에 있어서,상기 열전소재는 열전성능지수 값 ZT가 1 이상인 열전소재의 제조방법
24 24
제 21 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 원소를 용융하는 단계와 상기 용융물을 급냉시키는 단계 사이에,용융된 상태로 10시간 이상 유지시켜 각 원소가 충분히 혼합되도록 하는 단계를 더 포함하는 열전소재의 제조방법
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1 KR101198260 KR 대한민국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.