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1
용매, 상기 용매 100 중량부에 대해 0
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2
제 1 항에 있어서,
상기 R₁에 대하여 기재된 상기 다환 방향족 탄화수소기는 파이렌(pyrene) 기인, 분산 조절된 탄소나노튜브 전극
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| 3 |
3
제 1 항에 있어서,
상기 m은 1 내지 30이고, n은 1 내지 20, p는 5 내지 100이며, q는 20 내지 400 인, 분산 조절된 탄소나노튜브 전극
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| 4 |
4
제 1 항에 있어서,
상기 분절 공중합체는 수평균분자량이 1000 내지 150000g/mol이고, 다분산 지수(중량평균분자량/수평균분자량)가 1 이상인, 분산 조절된 탄소나노튜브 전극
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| 5 |
5
제 1 항에 있어서,
상기 R₂ 및 R₃는 극성 치환기로 치환된 방향족 탄화수소기인, 분산 조절된 탄소나노튜브 전극
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| 6 |
6
제 5 항에 있어서,
상기 극성 치환기가 수산화 (OH) 기인, 분산 조절된 탄소나노튜브 전극
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| 7 |
7
제 1 항에 있어서,
상기 R₂ 및 R₃는 각각 치환 또는 비치환된 페닐인, 분산 조절된 탄소나노튜브 전극
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8
제 1 항에 있어서,
상기 분산 조절된 탄소나노튜브 페이스트 조성물이 상기 용매 100 중량부에 대해 0
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9
탄소나노튜브와, 상기 탄소나노튜브의 100 중량부에 대해 0
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10
제 9 항에 있어서,
상기 분산 조절된 탄소나노튜브 페이스트 조성물이 상기 용매 100 중량부에 대해 0
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11
제 9 항에 있어서,
상기 탄소나노튜브/분산제 혼합물을 수득하는 단계는 상기 혼합물을 소니케이션(sonication)하는 것에 의하여 수행되는 것인, 분산 조절된 탄소나노튜브 전극의 제조 방법
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| 12 |
12
제 9 항에 있어서,
상기 분산 조절된 탄소나노튜브 페이스트 조성물을 수득하는 단계는, 상기 조성물을 볼 밀링법, 그라인딩법, 3롤 밀링법 및 고에너지볼 밀링법 중 하나 이상에 의하여 처리하는 것에 의하여 수행되는 것인, 분산 조절된 탄소나노튜브 전극의 제조 방법
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13
제 9 항에 있어서,
상기 탄소나노튜브 페이스트 조성물을 기판 상에 도포하는 단계는, 스크린 프린팅법, 스프레이법, 스핀 코팅법, 페인팅법 및 딥핑법 중 하나 이상을 이용하여 수행되는 것인, 분산 조절된 탄소나노튜브 전극의 제조 방법
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14
광감응 염료층을 포함하는 광전극, 상기 광전극에 대향되는 상대 전극, 및 상기 광전극과 상기 상대 전극 사이에 위치하는 전해질을 포함하는 염료 감응 태양 전지용 상대 전극에 있어서,
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 탄소나노튜브 전극으로 형성되는 것인, 염료 감응 태양 전지용 상대 전극
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15
광감응 염료층을 포함하는 광전극, 상기 광전극에 대향되는 상대 전극, 및 상기 광전극과 상기 상대 전극 사이에 위치하는 전해질을 포함하는 염료 감응 태양 전지에 있어서,
상기 상대전극은 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 탄소나노튜브 전극으로 형성되는 것인, 염료 감응 태양 전지
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