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자성입자 제어 시스템 및 이를 이용한 자성입자 제어방법

  • 기술번호 : KST2015121599
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자성입자를 특정 영역에 위치시키는 자성입자 제어 시스템에 관한 것으로, 보다 구체적으로 2 이상의 서로 이격되어 있는 자석들을 포함하고, 상기 자석들 사이에 자성입자를 위치시켜 자석들 간의 척력에 의해 특정 영역에 자성입자를 위치시키는 자성입자 제어 시스템에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 2 이상의 같은 극끼리 마주하는 자석들 간의 척력에 의해 자성입자를 원하는 영역에 지속적으로 위치시킬 수 있어, 각각의 자석의 위치를 임의로 조절함으로써 자성입자를 효과적으로 제어할 수 있다.
Int. CL B01D 61/02 (2006.01) B01D 61/10 (2006.01) B01D 65/00 (2006.01) C02F 1/44 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120127518 (2012.11.12)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1307336-0000 (2013.09.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130910) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.12)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이석헌 대한민국 서울 성북구
2 나용훈 대한민국 서울 은평구
3 양승헌 대한민국 경기도 화성시 병점동 구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 태웅 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *동***호(양재동,양재역환승주차장)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0927901-61
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0020073-22
3 우선심사신청관련 서류제출서
Submission of Document Related to Request for Accelerated Examination		 2013.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0046662-13
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.02.18 수리 (Accepted) 9-1-2013-0010791-60
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0189930-55
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0446620-77
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0446629-87
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0488070-85
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
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분리막에 의해 유입수측 및 유도용액측으로 구분되는 정삼투 모듈을 포함하고, 자성입자를 삼투 유발 용질로서 포함하는 유도용액을 이용하는 정삼투식 수처리 시스템에 있어서,상기 정삼투 모듈의 유입수측의 일 영역에 제 1 자석이 위치하고,상기 정삼투 모듈의 유도용액측의 일 영역에 제 2 자석이 위치하고,상기 제 1 자석과 상기 정삼투 모듈의 분리막 사이의 간격이 상기 제 2 자석과 상기 정삼투 모듈의 분리막 사이의 간격보다 크며,상기 제 1 자석 및 제 2 자석 간의 척력에 의해 유도용액 내의 자성입자가 상기 분리막으로부터 이격되어 위치하도록 하는 정삼투식 수처리 시스템
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제 5항에 있어서,상기 제 1 자석은 영구자석 또는 전자석으로 이루어진 것을 특징으로 하는 정삼투식 수처리 시스템
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제 5항에 있어서,상기 제 2 자석은 영구자석 또는 전자석으로 이루어진 것을 특징으로 하는 정삼투식 수처리 시스템
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제 5항에 있어서,상기 제 1 자석은 정삼투 모듈의 유입수측의 외부의 일 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 정삼투식 수처리 시스템
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제 5항에 있어서,상기 제 2 자석은 정삼투 모듈의 유도용액측의 내부의 일 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 정삼투식 수처리 시스템
10 10
제 5항에 있어서,상기 자성입자는 자성나노입자(magnetic nano particle)인 것을 특징으로 하는 정삼투식 수처리 시스템
11 11
제 5항 내지 제 10항 중 어느 한 항의 시스템을 이용하여 분리막으로부터 자성입자가 일정시간 동안 이격되도록 하여 일정 수준 이상의 flux가 지속되도록 하는 정삼투식 수처리 시스템의 제어방법
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1 US2014131282 US 미국 DOCDBFAMILY
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