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양광주가 존재하지 않는 직류 전원 플라스마 증착 장치와,양광주를 배제한 상태에서의 물질 증착 방법 및 이에 의해제조된 다이아몬드 박막

  • 기술번호 : KST2015121620
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약 본 발명은 양광주가 존재하지 않는 직류 전원 플라스마 증착 장치와, 양광주를 배제한 상태에서의 물질 증착 방법 및 이에 의해 제조된 다이아몬드 박막에 관한 것이다. 본 발명은 반응 챔버 내에 서로 대향하도록 설치된 음극과 양극 사이에 직류 전압을 인가하여 전극 간 공간에 방전을 개시하고 반응 가스를 도입하여, 양극에 장착되어 양극 역할을 겸하는 기판의 표면에 물질을 증착함에 있어, 음극 글로우 및 양극 글로우가 각각 음극 및 기판 표면을 피복하는 박층 형태로 존재하는 반면, 양광주 (positive column)는 존재하지 않거나 무시할 수 있을 정도로 작은 상태에서 물질을 증착하는 것을 특징으로 하는 양광주를 배제한 상태에서의 물질 증착 방법을 제공한다. 본 방법에 의해 제조된 다이아몬드 박막은 균일하고 불순물을 포함하지 않으며 결정질이 우수한 특성을 지닌다.
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) C23C 16/50 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020070045695 (2007.05.10)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0924287-0000 (2009.10.23)
공개번호/일자 10-2008-0099743 (2008.11.13) 문서열기
공고번호/일자 (20091030) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.10)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이욱성 대한민국 서울 노원구
2 백영준 대한민국 서울 노원구
3 정증현 대한민국 서울 관악구
4 채기웅 대한민국 충남 천안시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0348424-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0022331-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0432480-83
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0727941-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.11.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0801826-96
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0801825-40
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0119945-37
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0284937-51
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0364563-33
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.06.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0364565-24
12 등록결정서
Decision to grant
2009.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0427042-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반응 챔버 내에 서로 대향하도록 설치된 음극과 양극 사이에 직류 전압을 인가하여 전극 간 공간에 방전을 개시하고 반응 가스를 도입하여, 양극에 장착되어 양극 역할을 겸하는 기판의 표면에 나노 다이아몬드 박막을 증착함에 있어, 상기 반응 가스는 아르곤을 포함하지 않고, 상기 음극의 재질은 수소 및 질소와 화합물을 형성하지 않는 텅스텐 또는 텅스텐 합금인 것을 특징으로 하고, 상기 음극과 기판 간 거리를 0 초과 5 mm 이하로 하여, 음극 글로우 및 양극 글로우가 각각 음극 및 기판 표면을 피복하는 박층 형태로 존재하는 반면, 양광주(positive column)는 존재하지 않는 상태에서 나노 다이아몬드 박막을 증착하고, 아크 발생시, 전극에 정상 방전 상태에서의 값보다는 낮고 0 보다는 높은 전압 및 전류를 인가한 상태에서 일정시간 유지하여 아크를 소멸시킨 후 다시 원래의 전압 및 전류 상태로 복귀하는 것을 특징으로 하는 양광주를 배제한 상태에서의 나노 다이아몬드 박막 증착 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 음극과 기판 간 거리는 3~5 mm인 것을 특징으로 하는 양광주를 배제한 상태에서의 나노 다이아몬드 박막 증착 방법
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제1항에 있어서, 증착 공정 중에 방전 전압, 방전 전류 및 챔버 가스압 중 적어도 하나를 조절하여 음극 글로우 및 양극 글로우를 확장 또는 수축시키는 것을 특징으로 하는 양광주를 배제한 상태에서의 나노 다이아몬드 박막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 평면 또는 곡면 형태인 것을 특징으로 하는 양광주를 배제한 상태에서의 나노 다이아몬드 박막 증착 방법
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제1항에 있어서, 증착 공정 전에 수소 가스만을 도입하여 방전을 개시하고, 챔버 가스압을 50~400 Torr로 유지하고 방전 전류를 45~49 A로 유지하여, 음극 및 양극의 표면을 각각 음극 글로우 및 양극 글로우에 접촉되게 하여 세정하는 것을 특징으로 하는 양광주를 배제한 상태에서의 나노 다이아몬드 박막 증착 방법
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제6항에 있어서, 챔버 가스압을 조절하여 음극 글로우 및 양극 글로우를 수축 또는 확장시킴으로써 음극 표면 및 양극 표면의 세정 부위의 위치 및 면적을 제어하는 것을 특징으로 하는 양광주를 배제한 상태에서의 나노 다이아몬드 박막 증착 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 반응 가스로는 0
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제8항에 있어서, 상기 기판상에 피복되는 박막이 도전성을 갖도록 하여 박막 표면상의 전하 축적에 기인한 아크 발생을 방지하는 것을 특징으로 하는 양광주를 배제한 상태에서의 나노 다이아몬드 박막 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 양극 위에 상기 기판을 올려놓아 단순히 기판의 자중에 의하여 양극 표면과 전기적, 기계적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 양광주를 배제한 상태에서의 나노 다이아몬드 박막 증착 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01990443 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01990443 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 US08334027 US 미국 FAMILY
4 US20080280135 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 EP1990443 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP1990443 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 US2008280135 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8334027 US 미국 DOCDBFAMILY
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