맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

수소 이온보조 반응법을 이용한 고분자 표면처리 방법

  • 기술번호 : KST2015121694
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수소 이온보조반응(Ion Assist Reaction)에 의하여 고분자를 표면처리하여 표면 이하층을 친수성 작용기로 변환 시키는 고분자 표면처리 방법으로서, 수소 이온빔으로 고분자 표면에 존재하는 C-H 혹은 C-H-O 결합을 손상시키면서 표면에 반응성 기체인 산소를 주입시켜 표면 및 그 이하층에 새로운 화학 결합종을 만드는 새로운 방법이다. 기존의 아르곤이나 기타 이온빔을 이용하여 표면 처리한 경우에 비하여 수소이온빔의 경우는 표면에 형성된 친수성기 뿐만 아니라 표면이하층 (100Å 이상)까지도 친수성작용기를 형성하였으며 접촉각이 감소하였고 특히 물속에 보관하였을 경우 장기간 보관하여도 표면과 그이하층에 형성된 친수성 작용기가 그대로 유지되었으며 공기중에서 노출하였을 경우 C-H-O로 형성된 PC와 PET등은 접촉각의 회복도가 15도 미만으로 장시간 경과 후 측정하여도 표면의 친수성 작용기가 그대로 유지하였다. 이러한 수소이온 보조반응법은 휴대용 밧데리의 전해액의 삼투압으로 사용되는 폴리에틸렌 분리막의 처리 등에 응용될 수 있는데, 수소이온 보조반응법을 통하여 고분자 삼투압의 최대 단점인 기공을 통한 전해액의 이동이 용이해졌고 분리속도가 향상되었으며 무엇보다 장시간 사용할 때 우려되는 기계적 강도도 높아져 분리막이 안고 있는 문제점을 해결하고 표면만을 친수성으로 변화시킬 수 있었다.
Int. CL C08J 7/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019990039876 (1999.09.16)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0345289-0000 (2002.07.08)
공개번호/일자 10-2001-0027898 (2001.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20020725) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.09.16)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고석근 대한민국 서울특별시동대문구
2 조정 대한민국 서울특별시성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1999-0114531-72
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2001.06.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2001.07.23 수리 (Accepted) 9-1-2001-0012374-66
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0335335-10
6 의견서
Written Opinion		 2002.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2002-0033778-15
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.01.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0033776-24
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
9 등록결정서
Decision to grant		 2002.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0229443-79
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

진공 상태를 유지하면서, 에너지를 가진 수소 이온을 고분자재료의 표면에 조사하고, 상기 고분자재료의 표면 주위에 반응성 가스로서 산소를 불어넣어 주는 것을 특징으로 하는 수소 이온보조 반응법을 이용한 고분자 표면처리 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 수소 이온의 조사량은 1015 ~ 1017 ions/cm2인 것을 특징으로 하는 수소 이온보조 반응법을 이용한 고분자 표면처리 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 수소 이온의 에너지는 0

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 진공 상태는 재료주위의 진공도가 3 × 10 torr 에서 7 × 10 torr인 수소 이온보조 반응법을 이용한 고분자 표면처리 방법

지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1321173 CN 중국 FAMILY
2 EP01165671 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP15509558 JP 일본 FAMILY
4 WO2001019903 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1321173 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 EP1165671 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP1165671 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2003509558 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2003509558 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP2003509558 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 WO0119903 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
8 WO0119903 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.