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플라즈마 이온주입법을 이용한 금속 부품의 표면개질 방법

  • 기술번호 : KST2015121727
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 날카로운 형상을 지닌 금속 부품의 표면강도 및 내구성 향상을 위하여 플라즈마 이온주입 기술을 이용하는 표면개질 방법에 관한 것이다. 본 발명에서 날카로운 형상의 금속 부품 주위의 금속성 그리드에 음의 고전압 펄스가 가해지면 고전압 아크의 발생에 의한 날카로운 부분의 손상을 효과적으로 억제하며 플라즈마로부터 이온이 추출되어 그리드를 향하여 가속이 되고 대부분의 이온들은 그리드를 통과하여 높은 에너지로 시료의 표면에 충돌하게 된다. 따라서, 본 발명에 의하면, 시료에 직접 고전압 펄스를 인가하는 방법으로는 고전압 아크 발생 때문에 플라즈마 이온주입법을 적용하기 곤란한 날카로운 형상의 금속시료의 표면에 균일한 이온주입이 가능하게 되어 표면 강도 및 내구성이 매우 효율적으로 향상된 금속부품을 얻을 수 있다. 플라즈마이온주입, 플라즈마, 이온주입, 표면개질, 금속부품, 내구성, 내마모성, 고전압펄스
Int. CL C23C 14/48 (2006.01)
CPC C23C 14/48(2013.01) C23C 14/48(2013.01)
출원번호/일자 1020010003734 (2001.01.26)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0375334-0000 (2003.02.25)
공개번호/일자 10-2002-0063035 (2002.08.01) 문서열기
공고번호/일자 (20030306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.01.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한승희 대한민국 서울특별시노원구
2 이연희 대한민국 서울특별시동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재화 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 덕천빌딩 *층 이재화특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2001-0016232-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 등록결정서
Decision to grant		 2002.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0416895-23
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

플라즈마 이온주입법을 이용한 금속 부품의 표면개질 방법에 있어서,

(a) 진공조 내의 시료대 위에 날카로운 형상을 가지는 금속 부품을 위치시키는 단계,

(b) 진공조 내의 상기 금속부품의 표면으로부터 일정거리 떨어진 곳에 금속 그리드를 위치시키는 단계,

(c) 진공조 내에 이온주입할 기체의 플라즈마를 형성하는 단계, 및

(d) 상기 그리드 및 금속부품에 음전압 펄스를 가하여 기체 플라즈마 이온을 상기 금속부품의 표면에 주입시키는 단계를 포함하는 플라즈마 이온주입에 의한 금속부품의 표면개질 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 그리드와 금속부품의 표면 과의 거리는 0

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 그리드의 mesh 간격이 1 ∼ 20 mm 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 이온주입법을 이용한 금속 부품의 표면개질 방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 그리드에 가하는 고전압 펄스는 펄스 전압이 -1 kV에서 -100 kV 사이, 펄스-오프시 전압이 0 V에서 -10 kV 사이, 펄스 폭 1 μsec에서 50 μsec 사이, 펄스 주파수 10 Hz에서 10 kHz 사이의 값들을 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 이온주입법을 이용한 금속 부품의 표면개질 방법

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제 1 항에 있어서, 상기 기체 플라즈마는 질소, 산소, 일산화탄소, 이산화탄소, 암모니아, 메탄, 아세틸렌, 벤젠 가스 및 이들의 혼합가스에서 선택된 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 플라즈마 이온주입법을 이용한 금속 부품의 표면개질 방법

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제 1 항에 있어서, 진공조 내의 플라즈마를 그리드에 가해지는 고전압 펄스를 이용하여 안테나 없이 직접 발생시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 이온주입법을 이용한 금속 부품의 표면개질 방법

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제 1 항에 있어서, 상기 그리드는 스테인레스 강인 것을 특징으로 하는 플라즈마 이온주입법을 이용한 금속 부품의 표면개질 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.