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나노 소자 설계용 다차원 가상 실험 장치 및 그 방법

  • 기술번호 : KST2015121783
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 소자 설계용 가상 실험 장치 및 그 방법이 개시된다. 나노 소자 설계를 위한 가상실험물질을 결정하는 가상시편결정부; 가상시편결정부에서 결정된 가상실험물질에 하나 이상의 공정을 적용하는 가상공정실험부; 및 가상공정실험부에서 가상실험물질에 적용된 각각의 공정 결과를 분석하는 가상공정분석부를 포함하는, 나노 소자 설계용 가상 실험 장치가 개시된다. 가상공정분석부는, 공정 결과를 하나 이상의 입자수준을 기준으로 분석하는 다수준분석부를 더 포함하는 나노 소자 설계용 가상 실험 장치가 개시된다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120150554 (2012.12.21)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1474331-0000 (2014.12.12)
공개번호/일자 10-2014-0091086 (2014.07.21) 문서열기
공고번호/일자 (20141218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.21)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이광렬 대한민국 서울 서초구
2 김병현 대한민국 서울 영등포구
3 김찬수 대한민국 서울 노원구
4 김규봉 대한민국 서울 강서구
5 김승철 대한민국 서울 성북구
6 이민호 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-1063887-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0097088-42
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-1101639-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0039652-73
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0252221-58
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0252224-95
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0468020-89
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2014.08.05 수리 (Accepted) 7-1-2014-0029609-89
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0861533-16
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.09.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0861534-51
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0647093-00
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0938320-71
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0938319-24
16 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0848176-05
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번호 청구항
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나노 소자 설계를 위한 가상실험물질을 결정하는 가상시편결정부;상기 가상시편결정부에서 결정된 가상실험물질에 하나 이상의 공정을 적용하는 가상공정실험부; 및상기 가상공정실험부에서 상기 가상실험물질에 적용된 각각의 공정 결과를 분석하는 가상공정분석부를 포함하되,상기 가상시편결정부는,가상실험물질 중 웨이퍼 기판의 재료, 초기 두께, 결정 방향 또는 초기 도핑, 상기 웨이퍼 기판의 기하구조를 표현하는데 사용하는 메시(mesh)의 레졸루션(resolution) 중 적어도 어느 하나를 결정하고,상기 가상공정분석부는,상기 공정 결과를 양자역학 계산에 기반한 전자수준, 원자 간 포텐셜을 이용하여 고전역학적 계산을 수행하는 분자수준, 및 연속체수준으로 분석하는 다수준분석부를 포함하며,상기 가상공정실험부는, 상기 가상실험물질에 적용할 하나 이상의 공정의 종류, 횟수 또는 순서를 결정하는 공정결정부; 및 상기 가상실험물질에 적용할 하나 이상의 공정 조건을 결정하는 공정조건결정부를 포함하되,최초의 공정 결정 후 상기 가상공정분석부의 분석 결과에 기초하여 실시간으로 공정의 종류, 횟수 또는 순서를 변경하고, 최초의 공정 조건 결정 후 상기 가상공정분석부의 분석 결과에 기초하여 실시간으로 공정 조건을 변경하도록 구성된, 나노 소자 설계용 가상 실험 장치
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제1항에 있어서,상기 공정은,어닐링(Annealing), 산화(Oxidation), 확산(Diffusion), 증착(Deposition), 주입(Implantation), 노광(Lithography), 식각(Etching), CMP(Chemical Mechanical Planarization), ALD(atomic layer deposition), 스퍼터링(Sputtering) 중 어느 하나인, 나노 소자 설계용 가상 실험 장치
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제1항에 있어서,상기 공정 조건은, 온도, 압력, 불순물 조절 중 어느 하나인, 나노 소자 설계용 가상 실험 장치
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제1항에 있어서,상기 가상공정분석부는,전자구조, 전류-전압 분포, 원자힘전자현미경 (Atomic-Force Microscope, AFM), RDF, 스트레스(Stress)를 분석하는, 나노 소자 설계용 가상 실험 장치
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나노 소자 설계를 위한 가상실험물질을 결정하는 단계;상기 결정된 가상실험물질에 하나 이상의 공정을 적용하는 단계로서, 상기 가상실험물질에 적용할 하나 이상의 공정의 종류, 횟수 또는 순서를 결정하는 단계 및 상기 가상실험물질에 적용할 하나 이상의 공정 조건을 결정하는 단계를 포함하는, 상기 하나 이상의 공정을 적용하는 단계;상기 가상실험물질에 적용된 각각의 공정 결과를 분석하는 단계;최초의 공정 결정 후 상기 공정 결과를 분석하는 단계의 결과에 기초하여 실시간으로 공정의 종류, 횟수 또는 순서를 변경하는 단계; 및최초의 공정 조건 결정 후 상기 공정 결과를 분석하는 단계의 결과에 기초하여 실시간으로 공정 조건을 변경하는 단계를 포함하되,상기 가상실험물질을 결정하는 단계는,가상실험물질 중 웨이퍼 기판의 재료, 초기 두께, 결정 방향 또는 초기 도핑, 상기 웨이퍼 기판의 기하구조를 표현하는데 사용하는 메시(mesh)의 레졸루션(resolution) 중 적어도 어느 하나를 결정하는 단계를 더 포함하며,상기 공정 결과를 분석하는 단계는,상기 공정 결과를 양자역학 계산에 기반한 전자수준, 원자 간 포텐셜을 이용하여 고전역학적 계산을 수행하는 분자수준, 및 연속체수준으로 분석하는 단계를 포함하는, 나노 소자 설계를 위한 가상 실험 방법
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제10항에 있어서, 상기 공정은,어닐링(Annealing), 산화(Oxidation), 확산(Diffusion), 증착(Deposition), 주입(Implantation), 노광(Lithography), 식각(Etching), CMP(Chemical Mechanical Planarization), ALD(atomic layer deposition), 스퍼터링(Sputtering) 중 어느 하나인, 나노 소자 설계를 위한 가상 실험 방법
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제10항에 있어서,상기 공정 조건은,온도, 압력, 불순물 조절 중 하나인,나노 소자 설계를 위한 가상 실험 방법
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제10항에 있어서, 상기 가상실험물질을 결정하는 단계는,전자구조, 전류-전압 분포, 원자힘전자현미경 (Atomic-Force Microscope, AFM), RDF, 스트레스(stress)를 분석하는 단계를 더 포함하는,나노 소자 설계를 위한 가상 실험 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02746974 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02746974 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP26123735 JP 일본 FAMILY
4 US20140180645 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2746974 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2746974 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2014123735 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2014180645 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술연구원 첨단융합기술개발 분자 시뮬레이션 기술을 이용한 나노소자 설계기술 개발