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신규의고온초전도체및그의제조방법

  • 기술번호 : KST2015121887
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신규의 산화물계 고온 초전도체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 고온 초전도체는 기본 구조를 Ca2CuO3+δ로 하고 Ca2CuO3+δ상의 내의 Ca 이온 자리의 일부를 Hg, Ba, La 및 Cd중에서 선정한 원소의 단독 또는 복합물로 대체시킨 물질로서, 초전도 임계 온도가 165 내지 260K이고, 조성이(Ca1-XMX)2CuO3+δ(M=Hg,Ba,La 또는 Cd)인 고온 초전도체이다. 본 발명의 고온 초전도체는 분말의 합성 및 소결 단계를 거쳐 제조할 수 있다.
Int. CL C01G 3/02 (2006.01)
CPC H01L 39/126(2013.01) H01L 39/126(2013.01) H01L 39/126(2013.01) H01L 39/126(2013.01) H01L 39/126(2013.01) H01L 39/126(2013.01)
출원번호/일자 1019940018896 (1994.07.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0119192-0000 (1997.07.29)
공개번호/일자 10-1996-0004278 (1996.02.23) 문서열기
공고번호/일자 (19970930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.07.30)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종구 대한민국 경기도미금시
2 염상섭 대한민국 서울특별시도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1994.07.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0085789-80
2 특허출원서
Patent Application
1994.07.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0085788-34
3 출원심사청구서
Request for Examination
1994.07.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0085790-26
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1997.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0048404-10
5 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1997.04.18 수리 (Accepted) 1-1-1994-0085793-63
6 의견서
Written Opinion
1997.04.18 수리 (Accepted) 1-1-1994-0085791-72
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1997.04.18 수리 (Accepted) 1-1-1994-0085792-17
8 등록사정서
Decision to grant
1997.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0048405-55
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

하기 일반식으로 나타내어지는 조성을 갖는 초전도체 조성물

2 2

(A) CaCO3, Ca(OH)2 및 Ca(NO3)2로 구성되는 군으로부터 선택된 칼슘원 및 구리산화물 분말을 혼합하고 하소하여 Ca2CuO3+δ 분말을 합성한 다음, HgO, Ba(NO3)2 및 BaCO3, LaCO3 및 La(NO3)2 및 CdO로 구성되는 군으로부터 선택된 도핑제 분말을 상기 합성된 Ca2CuO3+δ 분말을 합성하고, 여기에 부족분의 구리 산화물을 추가한 다음 혼합하고 하소하여 (Ca1-xMx)2CuO3+δ (식 중, x, ,M 및 δ는 제1항에서 정의한 바와 같음)분말을 합성하는 단계와, (B) (Ca1-xMx)2CuO3+δ분말을 성형하여 소결하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 조성이 (Ca1-xMx)2CuO3+δ(식 중, x, ,M 및 δ는 제1항에서 정의한 바와 같음)인 초전도체 조성물의 제조방법

3 3

제2항에 있어서, 단계(A)에서 칼슘원과 구리원 분말의 혼합비가 2:1(몰비)이고, Ca2CuO3+δ 분말과 도핑제 분말의 혼합비가 칼슘원 분자량을 기준으로 1/100내지 1/4(몰비)인 것이 특징인 방법

4 4

제2항에 있어서, 단계(A)에서 원료 분말을 처음부터 원소 구성비에 맞게 모두 혼합하고 하소하는 것이 특징인 방법

5 5

제2항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 단계(A)에서 하소를 산소 또는 중성 분위기하 750 내지 995℃에서 행하여 δ의 값이 -0

6 6

제2항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 단계(B)의 소결이 중성 분위기하 850 내지 1026℃에서 행하여지는 것이 특징인 방법

7 7

제2항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 단계(B)에서 얻은 소결체를 질소 또는 아르곤, 또는 소량의 수소가 포함된 중성 분위기하에서 더 열처리하여, δ의 값이 -0

8 8

제2항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, (Ca1-xMx)2CuO3+δ 분말의 성형체 또는 소결체를 고압 장치내에서 고온, 고압하에서 더 처리하여 결정 구조가 단사정에서 정방정으로 바뀌게 하는 것이 특징인 방법

9 9

제8항에 있어서, 고온, 고압 처리가 고압장치내에 산화제 또는 산화성이 강한 재료를 넣거나 이들재료로 초전도 조성물을 둘러싸서 수행되는 것이 특징인 방법

10 10

제9항에 있어서, 산화제가 KClO3, KClO4 또는 CrO3중에서 선택되는 것이 특징인 방법

11 11

제8항에 있어서, 고온, 고압 처리가 초전도체 조성물을 티타늄, 지르코늄 및 몰리브데늄으로 구성되는 군으로부터 선택된 원소의 분말 성형체 또는 판에 닿게하여 수행되는 것이 특징인 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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