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분극반전방법

  • 기술번호 : KST2015121900
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 분극반전방법에 관한 것으로, 기판 표면의 양자교환된 곳의 경계에서 분극반전씨앗이 형성되며 기판의 상,하면에 서로 다른 온도를 유지함으로써 기판 내부로 분극반전이 자라도록 한다. 분극반전의 모양은 끝이 갈라진 바늘모양이며 준위정합을 이용한 청색광파 발생소자 제작에 적합한 이상적인 구조를 가진다.본 발명에 의하면, 주변의 공기온도 또는 공기흐름과 관계없이 일정하게 기판의 상하면에 온도차를 줌으로써 항상 재현성 있는 결과를 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 41/253 (2013.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1019940035562 (1994.12.21)
출원인 주식회사 엘지이아이, 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0144263-0000 (1998.04.16)
공개번호/일자 10-1996-0026997 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19980701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지이아이 대한민국 서울특별시 영등포구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상윤 대한민국 대전직할시유성구
2 신상영 대한민국 서울특별시강남구
3 윤두협 대한민국 경기도안양시
4 진공성 대한민국 서울특별시강남구
5 진용성 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시유성구
2 엘지전자주식회사 대한민국 서울특별시영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0160141-19
2 특허출원서
Patent Application		 1994.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0160140-63
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0160142-54
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1995.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1994-0160143-00
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1996.01.18 수리 (Accepted) 1-1-1994-0160144-45
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0089179-25
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008437-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2000-0033420-65
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.03.29 수리 (Accepted) 4-1-2001-0036111-11
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2002-5030566-15
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

+Z면 리튬탄탈레이트 기판을 선택적으로 양자교환시키는 단계와, 상기 양자교환된 기판의 상면과 하면에 온도차이를 준 가열을 행하여 상기 기판의 양자교환된 곳 사이의 영역에 분극반전을 일으키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 분극반전방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 기판에 행하는 온도차를 준 가열은 기판 상면에는 저온의 열판을 접촉하고 기판의 하면에는 고온의 열판을 접촉시켜 행하는 것을 특징으로 하는 분극반전방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 분극반전은 끝이 갈라진 바늘모양으로 생성되는 것을 특징으로 하는 분극반전방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.