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태양전지용 도너-브릿지-억셉터형 유기 반도체

  • 기술번호 : KST2015121976
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 태양전지용 도너-브릿지-억셉터형 유기 반도체에 관한 것으로서, 브릿지 구조를 최적화시켜 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있다는 것이 특징이다.
Int. CL C07D 495/04 (2006.01) H01L 51/30 (2006.01)
CPC C07D 495/04(2013.01) C07D 495/04(2013.01) C07D 495/04(2013.01) C07D 495/04(2013.01)
출원번호/일자 1020110081664 (2011.08.17)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0020739 (2013.02.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.17)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김봉수 대한민국 서울특별시 성북구
2 김경곤 대한민국 서울특별시 성북구
3 고민재 대한민국 서울특별시 성북구
4 김홍곤 대한민국 서울특별시 강남구
5 이도권 대한민국 서울특별시 성북구
6 이덕형 대한민국 서울특별시 마포구
7 이민우 대한민국 부산광역시 부산진구
8 이형근 대한민국 부산광역시 부산진구
9 양수진 대한민국 경기도 화성시
10 장수정 대한민국 경상북도 영주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0635638-07
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0280537-83
3 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0531406-21
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 (1)로 표시되는 태양전지용 도너-브릿지-억셉터형 유기 반도체:상기 식에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 C1~C20의 직쇄 또는 분쇄의 포화 또는 불포화 알킬기 중에서 선택되며, Ar은 C1~C20의 직쇄 또는 분쇄의 포화 또는 불포화 알킬기로 치환되거나 또는 비치환된 C6~C20의 축합방향족환이다
2 2
제1항에 있어서, 상기 Ar은 N-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일) 인 것을 특징으로 하는 태양전지용 도너-브릿지-억셉터형 유기 반도체
3 3
하기 반응식 1에 따라 화학식 1의 유기 반도체를 제조하는 방법:003c# 반응식 1 003e#상기 식에서, x는 N-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9,9-디메틸-N-(4-(4,4,5,5-테트라메틸- 1,3,2-디옥사보롤란-2-일)페닐)-9H-플루오렌-2-아민, Pd(PPh3)2Cl2, Na2CO3-DME- H2O이고, y는 NCCH2CO2H, 피페리딘, CH3CN 이며, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 C1~C20의 직쇄 또는 분쇄의 포화 또는 불포화 알킬기 중에서 선택되며, Ar은 C1~C20의 직쇄 또는 분쇄의 포화 또는 불포화 알킬기로 치환되거나 또는 비치환된 C6~C20의 아릴기, 또는 C1~C20의 직쇄 또는 분쇄의 포화 또는 불포화 알킬기로 치환되거나 또는 비치환된 C6~C20의 축합방향족환이다
4 4
제3항에 있어서, 상기 Ar은 N-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)인 것을 특징으로 하는 태양전지용 유기 반도체의 제조 방법
5 5
제1항에 따른 화학식 1의 도너-브릿지-억셉터형 유기 반도체를 채용한 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.