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발광 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015122171
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따르면 효율이 향상된 발광 다이오드의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 발광 다이오드가 제공된다. 본 발명에 따른 방법은, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 제1 도전형의 하부 반도체 층, 활성층 및 제2 도전형의 상부 반도체 층을 포함하는 복수의 층을 적층하는 단계; 상기 상부 반도체 층 위에 나노미터 크기의 구조를 형성하는 단계; 및 상기 나노미터 크기의 구조를 마스크로 이용하여 상기 적층된 복수의 층의 적어도 일부를 식각하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020120025427 (2012.03.13)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0031994 (2012.04.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2009-0115158 (2009.11.26)
관련 출원번호 1020090115158
심사청구여부/일자 Y (2012.03.13)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우덕하 대한민국 서울특별시 서대문구
2 김선호 대한민국 서울 종로구
3 이석 대한민국 서울 서초구
4 변영태 대한민국 경기 구리시
5 전영민 대한민국 서울 강남구
6 김재헌 대한민국 부산광역시 동구
7 정미 대한민국 서울 동작구
8 김신근 대한민국 서울 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2012.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0201342-10
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0332144-62
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0626494-42
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0726929-24
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0812018-07
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0918285-22
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0918286-78
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0209477-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 및 상기 기판 위에 적층된 제1 도전형의 하부 반도체 층, 활성층 및 제2 도전형의 상부 반도체 층을 포함하는 복수의 층을 포함하되, 상기 적층된 복수의 층은, 상기 상부 반도체 층 위에 알루미늄 층을 증착하고, 상기 알루미늄 층에 양극 산화 공정을 가하여 나노미터 크기의 홀을 갖는 다공성 알루미나 층을 형성한 후, 상기 다공성 알루미나 층을 마스크로 이용하여 식각된 나노미터 크기의 식각부가 상기 상부 반도체 층, 상기 활성층 및 상기 하부 반도체 층의 일부에 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
2 2
기판; 및 상기 기판 위에 적층된 제1 도전형의 하부 반도체 층, 활성층 및 제2 도전형의 상부 반도체 층을 포함하는 복수의 층을 포함하되, 상기 적층된 복수의 층은, 상기 상부 반도체 층 위에 알루미늄 층을 증착하고, 상기 알루미늄 층에 양극 산화 공정을 가하여 나노미터 크기의 홀을 갖는 다공성 알루미나 층을 형성한 후, 상기 다공성 알루미나 층에 형성된 상기 나노미터 크기의 홀에 금속을 증착하고, 상기 다공성 알루미나 층을 제거하여 상기 상부 반도체 층 위에 나노미터 크기의 금속 디스크를 형성한 다음, 상기 금속 디스크를 마스크로 이용하여 식각된 나노미터 크기의 식각부가 상기 상부 반도체 층, 상기 활성층 및 상기 하부 반도체 층의 일부에 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 식각부에는 절연 물질이 채워진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101136521 KR 대한민국 FAMILY

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국가 R&D 정보가 없습니다.