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기판; 상기 기판의 표면에 형성된 다이아몬드 박막; 및상기 다이아몬드 박막 상에 매트릭스(matrix) 형태로 배열되고 다이아몬드로 이루어진 돌출부들을 포함하는 CMP 패드 컨디셔너
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제1항에 있어서,상기 각 돌출부들은 기둥, 뿔 또는 뿔대 모양으로 일정하게 형성된 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너
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제1항에 있어서,상기 기판은 세라믹 또는 고융점 금속 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너
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제3항에 있어서,상기 세라믹은 질화규소(silicon nitride), 탄화규소(silicon carbide) 및 규소(Si) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 고융점 금속은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 및 초경합금 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너
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제1항에 있어서,상기 다이아몬드 박막은 1 μm 내지 9 μm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너
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기판 상에 다이아몬드 박막을 형성하는 단계;매트릭스(matrix) 형태의 개구부(opening)를 갖는 마스크(mask)를 상기 다이아몬드 박막 상에 위치시키는 단계;상기 마스크 상에 다이아몬드를 증착하여 상기 다이아몬드 박막 상에 상기 개구부에 대응하는 돌출부들을 형성하는 단계; 및상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 기판 상에 다이아몬드 박막을 형성하는 단계는, 핫 필라멘트 화학기상증착법(hot filament CVD) 또는 플라즈마 화학기상증착법(PACVD)으로 상기 다이아몬드 박막을 코팅하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 기판 상에 다이아몬드 박막을 형성하는 단계 이후에,상기 마스크를 제작하는 단계를 더 포함하며, 상기 마스크는 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 및 흑연 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 마스크를 제작하는 단계는,레이저, 마이크로 드릴, 또는 미소 방전가공 중 하나를 이용하여 상기 마스크에 도트 어레이를 형성하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 개구부에 대응하는 돌출부들을 형성하는 단계 이후에,상기 마스크 상에 증착된 다이아몬드를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법
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다이아몬드 기판을 준비하는 단계;매트릭스(matrix) 형태의 개구부(opening)를 갖는 마스크(mask)를 상기 다이아몬드 기판 상에 위치시키는 단계;상기 마스크 상에 다이아몬드를 증착하여 상기 다이아몬드 기판 상에 상기 개구부에 대응하는 돌출부들을 형성하는 단계; 및상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 기판 상에 다이아몬드 박막을 형성하는 단계 이전에,상기 마스크를 제작하는 단계를 더 포함하며, 상기 마스크는 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 및 흑연 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법
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