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다층 박막 구조를 갖는 미러

  • 기술번호 : KST2015122413
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 다층 박막 구조를 갖는 미러로서 ZrN(Zirconium nitride) 층과 Si(Silicon) 층이 번갈아가며 적층되어 형성된다.
Int. CL G03F 7/20 (2006.01) G02B 5/08 (2006.01)
CPC G02B 5/08(2013.01) G02B 5/08(2013.01)
출원번호/일자 1020130017063 (2013.02.18)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0104535 (2014.08.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.18)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전영민 대한민국 서울 강남구
2 이석 대한민국 서울 서초구
3 성하민 대한민국 서울 강동구
4 조운조 대한민국 경기 의정부시 장곡로***번길 **
5 김용태 대한민국 경기 성남시 분당구
6 우덕하 대한민국 서울특별시 서대문구
7 김선호 대한민국 서울 종로구
8 김재헌 대한민국 부산광역시 진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0143624-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0010357-03
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0183108-46
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0453391-15
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0644262-05
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0972343-18
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.10.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0972347-90
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0778611-90
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0048462-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
ZrN(Zirconium nitride) 층과 Si(Silicon) 층이 번갈아가며 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 다층 박막 구조를 갖는 미러
2 2
제1항에 있어서, Si 층의 두께가 실질적으로 4
3 3
제1항에 있어서, ZrN 층의 두께가 실질적으로 2
4 4
제1항에 있어서, ZrN 층과 Si 층을 포함한 전체 층수가 40층인 것을 특징으로 하는 다층 박막 구조를 갖는 미러
5 5
제1항에 있어서, 극자외선(EUV) 광원을 사용하는 반도체 리소그래피 공정, 또는 검사에 적용되는 것을 특징으로 하는 다층 박막 구조를 갖는 미러
6 6
제1항에 있어서, 극자외선(EUV)을 위한 광학계의 제작에 사용되는 다층 막막 구조를 갖는 미러
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.