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하기 화학식 1로 표시되는 혼합물을 포함하는 마그네슘 이차전지용 전해질:[화학식 1]상기 R1은 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄(linear) 또는 측쇄(branched) 알콕시기로 치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기, 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알콕시기로 치환된 C5-C12의 시클로알킬기, 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알콕시기로 치환된 C5-C12의 아릴기, 및 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알콕시기로 치환된 알릴기(allyl) 중에서 선택되고;상기 X1은 할로겐기이며;상기 R2는 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알콕시기로 치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기, 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알콕시기로 치환된 C5-C12의 시클로알킬기, 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알콕시기로 치환된 C5-C12의 아릴기, 및 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알콕시기로 치환된 알릴기 중에서 선택되고;상기 X2는 할로겐기, 비치환 또는 플루오로화 알킬로 치환된 술폰이미드기, 및 비치환 또는 플루오로화 알킬로 치환된 술폰아미드기 중에서 선택된다
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제1항에 있어서, 상기 R1에서 상기 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알콕시기로 치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, 2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에틸, 시클로펜탄, 시클로헥산, 및 페닐 중에서 선택되고;상기 X1은 플루오라이드, 브로마이드, 및 클로라이드 중에서 선택된 할로겐기이며;상기 R2에서 상기 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알콕시기로 치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, 2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에틸, 시클로펜탄, 시클로헥산, 및 페닐 중에서 선택되고;상기 X2는 플루오라이드, 브로마이드, 클로라이드, 플루오로화 알킬로 치환된 술폰이미드기, 및 플루오로화 알킬로 치환된 술폰아미드기 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 마그네슘 이차전지용 전해질
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제1항에 있어서, 상기 R1-Mg-X1 전해질염은 에틸마그네슘브로마이드, 에틸마그네슘클로라이드, 알-에틸 복합물(All-Ethyl Complex, AEC, EtMgCl-(EtAlCl2)2 Complex), 및 알-페닐 복합물(All-Phenyl Complex, APC, PhMgCl-AlCl3 Complex) 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 마그네슘 이차전지용 전해질
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제1항에 있어서, 상기 는 N-알릴-N-메틸피롤리디늄 클로라이드, N-알릴-N-메틸피롤리디늄 브로마이드, N-알릴-N-메틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄)설폰이미드, N-부틸-N-메틸피롤리디늄 브로마이드, N-부틸-N-메틸피롤리디늄 클로라이드, 1-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에틸}-1-메틸-피롤리디늄 브로마이드, 및 1-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에틸}-1-메틸-피롤리디늄 클로라이드 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 마그네슘 이차전지용 전해질
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제1항에 있어서, 상기 R1-Mg-X1 전해질염은 1-20 중량%; 및상기 로 표시되는 화합물을 0
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마그네슘 이차전지용 전해질의 제조방법에 있어서,(a) R1-Mg-X1 전해질염을 용매에 용해시켜 전해질 용액을 제조하는 단계;(b) 로 표시되는 이온성 용액을 용매에 용해시켜 첨가제 용액을 제조하는 단계; 및(c) 상기 단계 (a)의 전해질 용액에 상기 단계 (b)의 첨가제 용액을 첨가한 후, 혼합하여 하기 화학식 1로 표시되는 혼합물을 포함하는 마그네슘 이차전지용 전해질을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네슘 이차전지용 전해질의 제조방법:[화학식 1]상기 R1은 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄(linear) 또는 측쇄(branched) 알콕시기로 치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기, 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알콕시기로 치환된 C5-C12의 시클로알킬기, 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알콕시기로 치환된 C5-C12의 아릴기, 및 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알콕시기로 치환된 알릴기(allyl) 중에서 선택되고;상기 X1은 할로겐기이며;상기 R2는 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알콕시기로 치환된 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기, 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알콕시기로 치환된 C5-C12의 시클로알킬기, 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알콕시기로 치환된 C5-C12의 아릴기, 및 비치환되거나 또는 C1-C10의 직쇄 또는 측쇄 알콕시기로 치환된 알릴기 중에서 선택되고;상기 X2는 할로겐기, 비치환 또는 플루오로화 알킬로 치환된 술폰이미드기, 및 비치환 또는 플루오로화 알킬로 치환된 술폰아미드기 중에서 선택된다
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제6항에 있어서, 상기 R1-Mg-X1 전해질염은 에틸마그네슘브로마이드, 에틸마그네슘클로라이드, 알-에틸 복합물(All-Ethyl Complex, AEC, EtMgCl-(EtAlCl2)2 Complex), 및 알-페닐 복합물(All-Phenyl Complex, APC, PhMgCl-AlCl3 Complex) 중에서 선택되고;상기 는 N-알릴-N-메틸피롤리디늄 클로라이드, N-알릴-N-메틸피롤리디늄 브로마이드, N-알릴-N-메틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄)설폰이미드, N-부틸-N-메틸피롤리디늄 브로마이드, N-부틸-N-메틸피롤리디늄 클로라이드, 1-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에틸}-1-메틸-피롤리디늄 브로마이드, 및 1-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에틸}-1-메틸-피롤리디늄 클로라이드 중에서 선택되며;상기 단계 (c)에서, 상기 R1-Mg-X1 전해질염의 농도는 1-20 중량%이고, 상기 이온성 액체의 농도는 0
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제1항의 마그네슘 이차전지용 전해질을 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네슘 이차전지
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