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리튬 이온 이차전지용 실리콘/알루미늄 적층 다층 음극 박막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015122430
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리튬 이온 이차전지용 실리콘/알루미늄 적층 다층 음극 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 실리콘을 증착시키는 실리콘층 증착단계; 및 상기 실리콘층 상에 알루미늄을 증착시키는 알루미늄층 증착단계;를 포함하되, 상기 실리콘층 증착단계 및 알루미늄 증착단계가 교대로 일회 이상 반복되는 구성을 가짐으로써, 제조되는 리튬 이온 이차전지의 높은 방전 용량과 우수한 충·방전 특성을 동시에 실현하고 또한, 장수명화를 달성한다.
Int. CL H01M 10/0525 (2010.01) H01M 4/66 (2006.01) H01M 4/1395 (2010.01)
CPC H01M 4/667(2013.01) H01M 4/667(2013.01) H01M 4/667(2013.01) H01M 4/667(2013.01) H01M 4/667(2013.01) H01M 4/667(2013.01)
출원번호/일자 1020130025052 (2013.03.08)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1509533-0000 (2015.04.01)
공개번호/일자 10-2014-0111169 (2014.09.18) 문서열기
공고번호/일자 (20150408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.08)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최지원 대한민국 서울특별시 성동구
2 바이샬리 패틸 인도 인도, 마하라슈트라 주 푸네-*, 카트라즈, 숙
3 임해나 대한민국 서울 관악구
4 김진상 대한민국 서울 동작구
5 백승협 대한민국 서울 성북구
6 김성근 대한민국 서울 성북구
7 강종윤 대한민국 서울 서초구
8 윤석진 대한민국 서울 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0204987-08
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0023404-55
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0641441-56
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.11.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1126237-34
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-1126239-25
8 등록결정서
Decision to grant		 2015.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0208071-11
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 실리콘을 증착시키는 실리콘층 증착단계; 및상기 실리콘층 상에 알루미늄을 증착시키는 알루미늄층 증착단계;를 포함하되,상기 실리콘층 증착단계와 알루미늄층 증착단계는 교대로 일회 이상 반복되며,상기 일회 이상의 알루미늄층 증착단계에서 일회에 증착되는 알루미늄층의 두께는 2 ㎚ 내지 5 ㎚인 것을 특징으로 하는 리튬 이온 이차전지용 실리콘/알루미늄 적층 다층 음극 박막 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 기판은 니켈, 구리 또는 에칭된 구리 기판인 것을 특징으로 하는 리튬 이온 이차전지용 실리콘/알루미늄 적층 다층 음극 박막 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 일회 이상의 알루미늄층 증착단계에서 증착되는 알루미늄층들의 총 두께의 합은 2 ㎚ 내지 100 ㎚인 것을 특징으로 하는 리튬 이온 이차전지용 실리콘/알루미늄 적층 다층 음극 박막 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 증착되는 알루미늄층의 증착 횟수 및 증착 두께를 제어함으로써, 상기 제조되는 음극 박막의 수명 특성 및 충·방전 특성을 조절하는 것을 특징으로 하는 리튬 이온 이차전지용 실리콘/알루미늄 적층 다층 음극 박막 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제조되는 실리콘/알루미늄 적층 다층 음극 박막은 상기 기판상에 5층 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 리튬 이온 이차전지용 실리콘/알루미늄 적층 다층 음극 박막 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 실리콘층 및 알루미늄층은 비정질 상태인 것을 특징으로 하는 리튬 이온 이차전지용 실리콘/알루미늄 적층 다층 음극 박막 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 실리콘층 및 알루미늄층의 증착 시, 상기 증착은 마그네트론(magnetron) 스퍼터링을 이용하여 증착되는 것을 특징으로 하는 리튬 이온 이차전지용 실리콘/알루미늄 적층 다층 음극 박막 제조방법
10 10
제 1 항, 제 3 항, 제 5 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따라 제조되는 리튬 이온 이차전지용 실리콘/알루미늄 적층 다층 음극 박막
11 11
제 10 항에 따라 제조된 리튬 이온 이차전지용 실리콘/알루미늄 적층 다층 음극 박막을 포함하는 리튬 이온 이차전지
12 12
제 11 항에 따른 리튬 이온 이차전지를 포함하는 리튬 이온 이차전지 시스템
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.