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표면에 기둥 구조를 포함하는 재료를 준비하는 제1단계;상기 기둥 구조가 알루미늄 막을 가지도록 처리하여 알루미늄 표면-재료를 준비하는 제2단계; 그리고상기 알루미늄 표면-재료의 알루미늄 막을 산화시켜 상기 기둥 구조 상에 나노 플레이크 층(nano flake layer)을 형성하여 이중 돌기 구조를 가진 저반사 표면체를 제조하는 제3단계;를 포함하고,상기 나노 플레이크 층은 상기 기둥 구조 상에 형성된 침상 또는 판상의 나노 플레이크들(nano flakes)을 포함하는 것인, 저반사 표면체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1단계의 기둥 구조는, 상기 재료의 표면을 플라즈마 식각(plasma etching), 반응 이온 에칭(reactive ion etching), 이온밀링법(ion-milling), 및 방전 가공 (electro discharge Machining, EDM)으로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 방법을 이용하여 식각하여 형성되는 것인, 저반사 표면체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1단계의 기둥 구조는 CF4, CHF3, C2F6, C2Cl2F4, C3F8, C4F8, SF6 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 반응성 가스를 포함하여 30초 내지 90분 동안 재료의 표면을 플라즈마 식각(plasma etching)하여 이루어지는 것인, 저반사 표면체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2단계의 알루미늄 막은 스퍼터링(sputtering), 전자빔 증착(e-beam evaporation), 및 열증착(thermal evaporation)으로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 공정에 의하여 형성되는 것인, 저반사 표면체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제3단계의 산화는 물을 포함하는 반응액 또는 그 증기와 상기 알루미늄 표면-재료의 알루미늄 막이 접촉하여 이루어지는 것인, 저반사 표면체의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 반응액 또는 그 증기는 섭씨 70 내지 90 도인 것인, 저반사 표면체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노 플레이크는 보헤마이트{boehmite, ALO(OH)}, 산화알루미늄(Al2O3) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것인, 저반사 표면체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 저반사 표면체(30)는 순수(純水)를 이용한 접촉각이 10도 이하인 친수성을 가지는 것인, 저반사 표면체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제3단계 이후에, 상기 저반사 표면체에 소수성 코팅을 하는 제4단계;를 더 포함하는, 저반사 표면체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기둥 구조를 포함하는 재료는 그 표면에 500 내지 1500 nm의 높이와 50 내지 200 nm의 폭을 가지는 원뿔 형태의 기둥들이 단위 면적(mm2)당 2000만 내지 4000만 개로 형성된 것인, 저반사 표면체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 알루미늄 막은 10 내지 100 nm의 두께로 형성되는 것인, 저반사 표면체의 제조방법
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표면에 기둥 구조를 포함하는 재료, 그리고상기 기둥 구조 상에 위치하는 나노 플레이크 층(nano flake layer)을 포함하고,상기 나노 플레이크 층은 침상 또는 판상의 나노 플레이크들(nano flakes)을 포함하고, 상기 나노 플레이크는 보헤마이트{boehmite, ALO(OH)}, 산화알루미늄(Al2O3) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것인, 저반사 표면체
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제12항에 있어서,상기 나노 플레이크는 높이가 10 nm 내지 100 nm인 것인, 저반사 표면체
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제12항에 있어서,상기 기둥 구조를 포함하는 재료는 그 표면에 500 내지 1500 nm의 높이와 50 내지 200 nm의 폭을 가지는 원뿔 형태의 기둥들이 단위 면적(mm2)당 2000만 내지 4000만 개로 형성된 것인, 저반사 표면체
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제12항에 있어서,상기 저반사 표면체는 순수를 이용하여 측정한 접촉각이 10 도 이하인 초친수성을 가지는 것인, 저반사 표면체
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제12항에 있어서,상기 저반사 표면체는 상기 나노 플레이크 층 내의 나노 플레이크들 사이, 상기 나노 플레이크 층 위, 또는 이들 모두에 소수성 고분자를 더 포함하는 것인, 저반사 표면체
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제16항에 있어서,상기 저반사 표면체는 순수를 이용하여 측정한 접촉각이 130 도 이상인 초소수성을 나타내어 자기세척 기능을 가지는 것인, 저반사 표면체
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제16항에 있어서,상기 소수성 고분자는, 헥사메틸디실록세인 (HMDSO, Hexamethyldisiloxane), 테트라메틸실레인 (tetramethylsilane) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인, 저반사 표면체
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제16항에 따른 저반사 표면체를 포함하는 태양광 발전 시스템
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제16항에 따른 저반사 표면체를 포함하는 도로표지판
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제16항에 따른 저반사 표면체를 포함하는 광고판
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