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태양전지 광흡수층의 기준시료와 분석대상시료에 클러스터 이온들을 생성하는 단계;상기 기준시료의 깊이 방향으로 측정된 각 클러스터 이온들의 이온세기와 상기 기준시료에 포함된 각 성분들의 농도에 근거하여 상기 클러스터 이온들의 상대적인 감도를 각각 계산하는 단계; 및상기 분석대상시료의 깊이 방향으로 측정된 각 클러스터 이온들의 이온세기와 상기 상대적인 감도에 근거하여 상기 분석대상시료에 포함된 클러스터 이온들의 상대적인 분율을 각각 산출하는 단계를 포함하고,상기 생성하는 단계는,이차이온질량분석기(Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS) 내에서 상기 태양전지 광흡수층의 기준시료와 분석대상시료를 1~10 keV의 세슘일차이온건으로 스퍼터링하는 것을 특징으로 하는 태양전지 광흡수층의 정량분석법
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제1항에 있어서,상기 이차이온질량분석기는 비행시간형 질량분석관(Time-of-Flight), 자기장 질량분석관(Magnetic sector sector), 사중극자 질량분석관(Quadrupole) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지 광흡수층의 정량분석법
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제1항에 있어서,상기 클러스터 이온들은 구리세슘 클러스터 이온(CuCs+ 또는 CuCs2+), 인듐세슘 클러스터 이온(InCs+ 또는 InCs2+), 갈륨세슘 클러스터 이온(GaCs+ 또는 GaCs2+), 셀레늄세슘 클러스터 이온(SeCs+ 또는 SeCs2+)인 것을 특징으로 하는 태양전지 광흡수층의 정량분석법
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제1항에 있어서,상기 계산하는 단계는,이차이온질량분석기에서 상기 기준시료의 깊이 방향으로 상기 클러스터 이온들의 이온세기(Ii(x))를 측정하는 단계;상기 이온세기를 기설정된 구간에서 적분하여 상기 기준시료의 각 클러스터 이온마다 평균이온세기 또는 총이온세기(Ii)를 계산하는 단계;유도결합플라즈마 원자방출분광기(Inductively Coupled Plasma - Atomic Emission Spectrometer, ICP-AES)에서 상기 기준시료에 포함된 성분들의 농도(Ci)를 측정하는 단계; 및상기 클러스터 이온들 중 어느 하나를 상대적인 감도 1인 기준 클러스터 이온으로 설정(RSFR=1)하고, 하기의 수학식 7을 이용하여 상기 기준 클러스터 이온을 제외한 나머지 클러스터 이온들의 상대적인 감도를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 광흡수층의 정량분석법
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제1항에 있어서,상기 산출하는 단계는,이차이온질량분석기에서 상기 분석대상시료의 깊이 방향으로 상기 클러스터 이온들의 이온세기(Ii(x))를 측정하는 단계;상기 이온세기를 기설정된 구간에서 적분하여 상기 기준시료의 각 클러스터 이온마다 평균이온세기 또는 총이온세기(Ii)를 계산하는 단계; 및하기의 수학식 8을 이용하여 상기 분석대상시료에 포함된 클러스터 이온들의 상대적인 분율을 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 광흡수층의 정량분석법
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제1항에 있어서,상기 분석대상시료에서 깊이 방향으로 측정된 각 클러스터 이온들의 이온세기와 상기 상대적인 감도에 근거하여 상기 분석대상시료에 포함된 클러스트 이온들의 깊이별 농도를 각각 도출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 광흡수층의 정량분석법
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제7항에 있어서,상기 도출하는 단계는 하기의 수학식 9를 이용하여 상기 분석대상시료에 포함된 클러스터 이온들의 깊이별 농도를 계산하는 것을 특징으로 하는 태양전지 광흡수층의 정량분석법
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