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기판 위에 레지스트층을 형성하는 단계;상기 레지스트층 위에 유전체 마이크로구조체 배열을 포함하는 포커싱층을 형성하는 단계;선형 디퓨저를 이용하여 빛을 일 방향으로 산란시키는 단계;상기 선형 디퓨저에 의해 산란된 빛을 상기 포커싱층 및 상기 레지스트층에 조사시킴으로써 상기 레지스트층에 비등방성의 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 및 상기 패턴이 형성된 레지스트층에 플라즈모닉 공진 특성을 갖는 물질을 증착하는 단계; 및 상기 레지스트층 및 상기 레지스트층상에 증착된 물질을 제거함으로써 상기 기판상에 나노 안테나 배열을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 선형 디퓨저에 의한 빛의 산란 각도 및 상기 유전체 마이크로구조체의 크기는 형성하고자 하는 패턴의 종횡비에 기초하여 결정되며,상기 나노 안테나의 공진파장이 2 μm 이상 20 μm 이하인 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유전체 마이크로구조체의 직경은 1 μm 이상 10 μm 이하인 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 빛을 일 방향으로 산란시키는 단계 및 상기 패턴을 형성하는 단계 각각을 복수 회 반복 수행하되,각 반복 수행 시마다 상기 선형 디퓨저에 의한 빛의 산란 방향을 변화시키는 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 나노 안테나는 복수의 팔(arm)을 갖는 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 나노 안테나 배열은 평면적으로 육방 조밀 구조(hexagonal close-packed)를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 사파이어, CaF2, MgF2, ZnSe, Si, Si3N4, Ge, GaAs, SiO2, KBr, Diamond 또는 고분자로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 나노 안테나는 적외선 파장 대역에서 광학적 거동이 자유 전자 모델로 설명되는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 나노 안테나는 Au, Ag, Cu, Al, Pt, Pd, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Mo, W, V, Ta, Nb, Sn, Pb, Sb, Bi 또는 이들의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 나노 안테나는 자유 전자 밀도가 10-20cm-3이상인 반도성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 패턴을 형성하는 단계 이후 및 상기 물질을 증착하는 단계 이전에, 상기 기판 및 상기 패턴이 형성된 레지스트층 위에 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 접착층은 Ti, Cr, TiN, ZnS-SiO2 또는 투명 전도 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법
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복수의 나노 안테나를 갖는 나노 안테나 배열을 포함하며,상기 나노 안테나 배열은 평면적으로 육방 조밀 구조(hexagonal close-packed)를 가지며,상기 나노 안테나의 공진파장이 2 μm 이상 20 μm 이하인 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 칩
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제 15 항에 있어서,상기 나노 안테나는 복수의 팔을 갖는 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 칩
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