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1
(a) 투명 기판,(b) 상기 투명 기판 위에 형성된 제1 Zn2SnO4 층,(c) 상기 제1 Zn2SnO4 층 위에 형성된 제2 Zn2SnO4 층,(d) 상기 제2 Zn2SnO4 층 위에 형성된 CH3NH3PbI3 층,(e) 상기 CH3NH3PbI3 층 위에 형성된 정공수송 물질층을 포함하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 제1 Zn2SnO4 층은 0% 내지 3%의 공극률을 가지고, 상기 제2 Zn2SnO4 층은 50% 내지 70%의 공극률을 가지고, 평균 공극 크기가 10nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 태양전지
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3
제1항에 있어서, 상기 제1 Zn2SnO4 층은 두께가 100 내지 120 nm인 것을 특징으로 하는 태양전지
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4
제1항에 있어서, 상기 제2 Zn2SnO4 층은 두께가 250 내지 350 nm인 것을 특징으로 하는 태양전지
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5
제1항에 있어서, 상기 투명 기판은 플루오린 틴 옥사이드(FTO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 알루미늄 아연 옥사이드(AZO), 니오븀 티타늄 옥사이드(NTO), 아연 틴 옥사이드(ZTO) 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 태양전지
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6
(A) 투명 기판에 제1 Zn2SnO4 층을 형성하는 단계,(B) 상기 제1 Zn2SnO4 층 위에 제2 Zn2SnO4 층을 형성하는 단계,(C) 상기 제2 Zn2SnO4 층 CH3NH3PbI3 층을 형성하는 단계,(D) 상기 CH3NH3PbI3 층 위에 정공수송 물질층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
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7
제6항에 있어서, 상기 (A) 단계는 상기 투명 기판 위에 ZnCl2와 SnCl2이 용해된 용액을 제1 코팅한 후 제1 열처리하여 상기 제1 Zn2SnO4 층을 형성시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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8
제7항에 있어서, 상기 용액 내 Zn 전구체와 Sn 전구체의 몰비는 1
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9
제7항에 있어서, 상기 제1 코팅은 스핀 코팅이고, 상기 제1 열처리는 300 내지 400 ℃에서 5분 내지 20분 동안 수행되는 것을 특징으로 태양전지 제조방법
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10
제7항에 있어서, 상기 제1 코팅은 20초 내지 1분 동안 2000 내지 4000 rpm으로 스핀 코팅함으로써 수행되는 것을 특징으로 태양전지 제조방법
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11
제6항에 있어서, 상기 (B) 단계는 상기 제1 Zn2SnO4 층 위에 Zn2SnO4 나노입자를 제2 코팅한 후 제2 열처리함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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12
제11항에 있어서, 상기 제2 코팅은 Zn2SnO4 나노입자 페이스트 희석액을 스핀 코팅함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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13
제12항에 있어서, 상기 희석액은 터피네올 용매로 Zn2SnO4 나노입자 페이스트를 희석하여 수득된 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 (C) 단계는 (C') 상기 제2 Zn2SnO4 층 위에 PbI2 용액을 코팅하고 제3 열처리하고 나서, (C'') CH3NH3I 용액에 침지하고 제4 열처리함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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15
제14항에 있어서, 상기 (C') 단계에서 상기 PbI2 용액의 코팅은 상기 PbI2 용액을 도포하고 10초 내지 1분 동안 그대로 유지하고 나서 스핀 코팅함으로써 수행되고,상기 (C'') 단계에서 CH3NH3I 용액에의 침지는 상기 CH3NH3I 용액에 침지한 후 20초 내지 1분 동안 그대로 둠으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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16
제15항에 있어서, 상기 스핀 코팅은 6000 내지 7000 rpm에서 20초 내지 40초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 제3 열처리는 70 내지 90 ℃에서 15분 내지 30분 동안 수행되고, 상기 제4 열처리는 70 내지 90 ℃에서 15분 내지 30분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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18
제14항에 있어서, 상기 PbI2 용액은 PbI2가 DMF에 용해된 용액이고,상기 CH3NH3I 용액은 CH3NH3I가 이소프로판올에 용해된 용액인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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19
제6항에 있어서, 상기 (D) 단계는 상기 CH3NH3PbI3 층 위에 spiro-OMeTAD 용액을 스핀 코팅함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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20
제11항에 있어서, 상기 제2 열처리는 450 내지 550 ℃에서 15분 내지 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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