맞춤기술찾기

이전대상기술

신규한플라스미드제조방법및그를함유한균주를배양하여인터루킨-2또는변이인터루킨-2를생산하는방법

  • 기술번호 : KST2015122712
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL C12N 15/00 (2006.01)
CPC C07K 14/55(2013.01) C07K 14/55(2013.01) C07K 14/55(2013.01) C07K 14/55(2013.01) C07K 14/55(2013.01) C07K 14/55(2013.01)
출원번호/일자 1019870006560 (1987.06.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0071318-0000 (1994.02.26)
공개번호/일자 10-1989-0000662 (1989.03.15) 문서열기
공고번호/일자 1019890003715 (19890930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1987.06.27)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한문희 대한민국 서울시성북구
2 정태화 대한민국 서울특별시성북구
3 김지영 대한민국 서울시성북구
4 강성만 대한민국 서울시노원구
5 김성완 대한민국 서울시도봉구
6 하현정 대한민국 서울시성북구
7 나도선 대한민국 서울시강남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 문기상 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로 *** (삼성동, 우창빌딩)(문앤문국제특허법률사무소)
2 조기호 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호 코디특허법률사무소 (역삼동, 한빛빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 서울시성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 보정통지서
Request for Amendment
1987.00.00 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0023087-67
2 출원심사청구서
Request for Examination
1987.06.27 수리 (Accepted) 1-1-1987-0039115-84
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1987.06.27 수리 (Accepted) 1-1-1987-0039113-93
4 특허출원서
Patent Application
1987.06.27 수리 (Accepted) 1-1-1987-0039112-47
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1987.06.27 수리 (Accepted) 1-1-1987-0039114-38
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1989.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0023088-13
7 이의신청서
Request for Opposition
1989.11.30 수리 (Accepted) 1-1-1987-0039116-29
8 통지서
Notification
1989.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0023091-40
9 이의신청보정서
Amendment of Opposition
1989.12.29 수리 (Accepted) 1-1-1987-0039117-75
10 통지서
Notification
1990.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0023092-96
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
1990.02.13 수리 (Accepted) 1-1-1987-0039118-10
12 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period
1990.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0023093-31
13 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
1990.03.14 수리 (Accepted) 1-1-1987-0039119-66
14 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period
1990.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0023094-87
15 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
1990.04.16 수리 (Accepted) 1-1-1987-0039120-13
16 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period
1990.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0023095-22
17 이의답변서
Written Answer to Opposition
1990.05.14 수리 (Accepted) 1-1-1987-0039121-58
18 이의답변서
Written Answer to Opposition
1990.05.14 수리 (Accepted) 1-1-1987-0039122-04
19 통지서
Notification
1990.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0023097-13
20 통지서
Notification
1990.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0023096-78
21 통지서
Notification
1990.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0023098-69
22 통지서
Notification
1990.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0023099-15
23 이의각하결정서
Written Decision on Dismissal of Opposition
1993.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0023100-74
24 등록사정서
Decision to grant
1993.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0023101-19
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
30 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
31 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
32 미생물분양자격증명신청서
Request for Certification of Apportionment of Micro-organism
2003.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2003-5153501-41
33 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
34 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

사람의 임파종양에서 분리한 저켓 세포를 배양한 다음 mRNA를 분리하고, 이 mRA를 올리고뉴크레오타이드를 프라이머로 사용하여 일차 cDNA를 합성하고, RNase H와 DNA 폴리머라제 및 E

2 2

플라스미드 pIL7을 제한효소 HgiAI과 PvuII로 절단하고, PvuII 절단면에 Sa1I 링커를 접합시키고 HgiAI 절단면을 S1 뉴클레아제를 사용하여 블런트 엔드로 만들어 제한효소 Sa1I으로 절단한 절편을, 플라스미드 pAS1을 제한효소 BamHI으로 절단하고 S1 뉴클레아제로 처리하여 절단면을 블런트 엔드로 만들고 제한효소 Sa1I으로 절단한 벡터와 라이게이션에 의하여 접합시켜 신규한 플라스미드 pNK1(KCTC 8259 P)을 제조하는 방법

3 3

플라스미드 pNK1를 온도감수성 리프레서를 가진 균주에 도입 이 균주(KCTC 8259 P)를 LB 배지에서 28℃에서 OD600=0

4 4

프라스미드 pIL7을 제한효소 HgiAI으로 절단한 다음 S1 뉴클레아제로 처리하여 HgiAI의 절단면을 블런트 엔드로 만들고 이것을 제한효소 HindIII로 절단하여 엔터루킨-2의 유전자를 포함하는 절편을, 플라스미드 pUC8을 제한효소 NarI으로 절단하고 DNA 폴리머라제 클리나우 절편 효소 반응에 의해 블런트 엔드로 만든 다음 제한효소 HindIII로 절단한 벡터와 라이게이션에 의하여 접합시켜서 신규한 플라스미드 pKS1(KCTC 8264 P)을 제조하는 방법

5 5

플라스미드 pKS1을 제한효소 BanI으로 절단하고 클리나우 절편효소 반응에 의해 블런트 엔드로 만든 다음 제한효소 Sa1I으로 절단하여 인터루킨-2의 유전자를 포함하는 절편을 플라스미드 pAS1을 BamHI으로 절단하고 S1 뉴클레아제로 처리하여 절단면을 블런트 엔드로 만든 다음 제한효소 Sa1I으로 절단한 벡터와 라이게이션에 의하여 접삽시켜 신규한 플라스미드 pNK2(KCTC 8260 P)을 제조하는 방법

6 6

플라스미드 pNK2를 적당한 균주에 도입 이 균주(KCTC 8260 P)를 LB 배지에서 28℃에서 OD600=0

7 7

플라스미드 pKS1을 제한효소 BamHI과 HindIII로 절단한 절편을 염기서열이 8

플라스미드 pKS2를 제한효소 EcoRI과 BamHI으로 절단한 다음 그 절단면들을 클리니우 절편 효소 반응에 의해 블런트 엔드로 만든 DNA 절편을, 플라스미드 ptac12를 PvuII로 절단한 벡터와 라이게이션에 의하여 접삽시켜서 신규한 플라스미드 pNK3(KCTC 8261 P)를 제조하는 방법

9 9

플라스미드 pNK3를 함유하는 대장균 JM109 균주를 LB 배지에서 37℃에서 배양한 후 초기 지수 성장기에 이르러 IPTG를 최종 노도가 1mM이 되도록 첨가하고 2시간 동안 더 배양하여 인터루킨-2를 생산하는 방법

10 10

플라스미드 pIL7을 제한효소 NarI으로 절단하고, 다른 한편으로 pIL7을 제한효소 XbaI과 HindIII로 절단하여 아가로스젤 전기영동에 의하여 DNA 절편들을 분리한 다음 큰 절편을 젤로부터 회수하고, 이 두 DNA 절편을 한데 섞어서 100℃로 4분간 가열한 후 냉각시키고 여기서 합성된 올리고뉴클레오타이드를 가하여 클리나우 절편효소 반응에 의하여 인터루킨-2의 아미노산서열 125위치의 시스테인 코돈이 세린 코돈으로 치환된 신규한 플라스미드 pIL7(KCTC 8263 P) 제조 방법

11 11

플라스미드 pILM7을 제한효소 XbaI과 PvuII로 절단한 절편과 플라스미드 pNK2를 XbaI과 PvuII로 절단한 벡터를 라이게이션에 의하여 접합시켜서 신규한 플라스미드 pNKM21(KCTC 8258 P)을 제조하는 방법

12 12

플라스미드 pNKM21을 적당한 균주(M 5248)에 도입 이 균주(KCTC 8258 P)를 LB 배지에서 28℃에서 OD600=0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.