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복합 고체고분자 전해질 및 리튬고분자 전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015122735
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 복합 고체고분자 전해질 및 리튬고분자 전지의 제조방법에 있어서, PAN계 전해질인 경우 강도가 떨어지고, dry room에서 제조해야 하는 제조상의 어려움과, 또한 PVdF계 전해질은 접착력이 불량하여 전극 및 전지 제조시 가열 lamination과 추출공정을 필요로 하는 단점 및 고체고분자 제조시 가소제의 추출과정과 유기용매 전해질의 함침과정이 요구되어 제조공정이 까다로운 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기지고분자로 PAN계와 PVdF계를 혼합한 것을 사용하여 SiO2, 가소제, 유기용매를 혼합하고, 가열하여 blending된 고체고분자 매트릭스를 형성시킨 후, 캐스팅하여 건조하고 유기용매 전해질을 주입하여 고체고분자 전해질을 제조하는 방법과, 상기의 고체고분자 전해질, 음·양극을 적층하고 유기용매 전해질을 주입하여 전지 성능이 우수한 리튬고분자 전지의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01M 10/0525 (2010.01) H01M 10/058 (2010.01) H01M 10/0565 (2010.01)
CPC
출원번호/일자 1019980019242 (1998.05.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0275789-0000 (2000.09.23)
공개번호/일자 10-1999-0086307 (1999.12.15) 문서열기
공고번호/일자 (20001215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.05.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤경석 대한민국 서울특별시 동작구
2 조병원 대한민국 서울특별시 서대문구
3 조원일 대한민국 서울특별시 노원구
4 백지흠 대한민국 서울특별시 성북구
5 김형선 대한민국 서울특별시 강북구
6 김운석 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1998.05.27 수리 (Accepted) 1-1-1998-0060849-40
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1998.05.27 수리 (Accepted) 1-1-1998-0060848-05
3 특허출원서
Patent Application
1998.05.27 수리 (Accepted) 1-1-1998-0060847-59
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
10 등록사정서
Decision to grant
2000.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0220016-63
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기지고분자로 PAN계와 PVdF계를 혼합한 것을 사용하여 SiO2, 가소제, 유기용매를 혼합하는 공정, 상기 혼합물을 가열하여 고체고분자 매트릭스를 형성하는 공정, 상기 매트릭스를 캐스팅하여 건조하는 공정, 상기 건조된 고체고분자에 유기용매 전해질을 주입하는 공정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고체고분자 전해질 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 PAN계는 polyacrylonitrile, poly(acrylonitrile-methylacrylate) copolymer로 구성되고, 상기 PVdF계는 polyvinylidene fluoride, poly(vinylidene fluoride-hexafluoropropylene) copolymer로 구성되는 것을 특징으로 하는 고체고분자 전해질 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 기지고분자 PAN계:PVdF계의 무게 비가 10:1∼1:5인 것을 특징으로 하는 고체고분자 전해질의 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 가소제의 첨가량을 기지고분자에 대해 1∼5배로 하고, 그 종류는 EC(ethylene carbonate), DMC(dimethyl carbonate), DEC(diethyl carbonate), EMC(ethyl methyl carbonate), PC(propylene carbonate)등으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고체고분자 전해질의 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 SiO2의 첨가량이 기지고분자에 대해 1∼20wt% 함유되는 것을 특징으로 하는 고체고분자 전해질의 제조방법

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 용매 및 보조가소제로 작용하는 유기용매의 종류는 DMA(dimethyl acetamide), DMF(N,N-dimethylformamide),

NMP(N-methyl-2-pyrrolidinone), DMSO(dimethyl sulfoxide), THF(tetrahydrofuran) 등으로 이루어지고, 첨가량이 기지고분자의 3∼10배인 것을 특징으로 하는 고체고분자 전해질의 제조방법

7 7

제 1 항에 있어서, 상기 건조과정은 대기 혹은 진공 상태하에서 30∼100℃ 사이의 온도에서 6∼24시간 동안 건조되는 것을 특징으로 하는 고체고분자 전해질의 제조방법

8 8

기지고분자로 PAN계와 PVdF계를 혼합한 것을 사용하여 SiO2, 가소제, 유기용매를 혼합하는 공정, 상기 혼합물을 가열하여 고체고분자 매트릭스를 형성하는 공정, 상기 매트릭스를 캐스팅하여 건조하는 공정, 상기 건조된 고체고분자에 유기용매 전해질을 주입하는 공정으로 이루어지는 고체고분자 전해질 제조공정과, 상기의 고체고분자 전해질 음·양극을 적층하는 공정, 유기용매 전해질을 주입하는 공정이 추가로 구성되는 것을 특징으로 하는 리튬고분자 전지를 제조하는 방법

9 9

제 8 항에 있어서, 상기 주입하는 유기용매 전해질 종류는 1M LiPF6가 용해된 EC(ethylene carbonate):DMC(dimethyl carbonate)용액, 1M LiPF6가 용해된 EC(ethylene carbonate):DEC(diethyl carbonate)용액, 1M LiPF가 용해된 EC (ethylene carbonate):EMC(ethyl methyl carbonate)용액 등 리튬이온 전지용 유기용매 전해질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체고분자 전해질 및 리튬고분자 전지의 제조방법

10 10

제 8 항에 있어서, 상기 리튬고분자 전지는 음극/고체고분자전해질/양극/고체고분자전해질/음극의 순으로 여러 층을 적층하고 유기용매 전해질을 주입하여 구성되는 것을 특징으로 하는 리튬고분자 전지 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.