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삼성분계고체고분자전해질의제조방법및이를이용한리튬고분자전지

  • 기술번호 : KST2015122971
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본발명은 10∼90중량%의 PAN계 화합물, 1∼50중량%의 PVC계 화합물 및 1∼50중량%의 PVdF계 화합물을 혼합하여 이루어지는 PAN계/PVC계/PVdF계 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 삼성분계 고체고분자 전해질의 제조방법 및 이를 이용한 리튬고분자 전지에 관한 것으로, 본발명에 의한 고체고분자 전해질들은 이온전도도가 리튬 고분자전지용 전해질로서 충분히 사용할 수 있을 정도로 우수하고 접착력 및 기계적 강도도 우수하여 전지제조가 용이할 뿐만 아니라 이를 이용한 전지는 전극용량 및 싸이클 수명 특성과 같은 전지성능도 우수하게 나타나 리튬고분자 전지용 고체고분자 전해질로서 매우 적합한 것으로 나타났다.
Int. CL H01M 10/0525 (2010.01) H01M 10/058 (2010.01) H01M 10/0565 (2010.01)
CPC
출원번호/일자 1019980022954 (1998.06.18)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0310034-0000 (2001.09.12)
공개번호/일자 10-2000-0002281 (2000.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.06.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤경석 대한민국 서울특별시 동작구
2 조병원 대한민국 서울특별시 서대문구
3 조원일 대한민국 서울특별시 노원구
4 백지흠 대한민국 서울특별시 성북구
5 김형선 대한민국 서울특별시 강북구
6 김운석 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.06.18 수리 (Accepted) 1-1-1998-0072043-94
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.06.18 수리 (Accepted) 1-1-1998-0072045-85
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.06.18 수리 (Accepted) 1-1-1998-0072044-39
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2000.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2000-0001272-15
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0300026-74
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.01.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-5020328-94
13 의견서
Written Opinion		 2001.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2001-5020326-03
14 등록결정서
Decision to grant		 2001.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0202440-21
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

10∼90중량%의 PAN계 화합물, 1∼50중량%의 PVC계 화합물 및 1∼50중량%의 PVdF계 화합물을 혼합한 PAN계/PVC계/PVdF계 혼합물에, 가소제 및 유기용매를 혼합하고 고분자 블렌딩을 실시하여 고체고분자 전해질의 매트릭스를 형성하고 이를 캐스팅하여, 건조함으로써 고체 고분자 막을 얻은 후, 리튬염이 용해된 유기용매 전해질을 주입하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 삼성분계 고체고분자 전해질의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 PAN계 화합물은 폴리아크릴로니트릴, 폴리(아크릴로니트릴-메틸아크릴레이트), 폴리(아크릴로니트릴-코-메틸메타크릴레이트)코폴리머로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, 상기 PVC계 화합물은 폴리비닐클로라이드, 폴리(비닐리덴클로라이드-코-아크릴로니트릴)로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, 상기 PVdF계 화합물은 폴리비닐리덴플루오라이드, 폴리(비닐리덴플루오라이드-헥사플루오로-프로필렌)코폴리머로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 삼성분계 고체고분자 전해질의 제조방법

3 3

제 1 항 또는 2 항중 어느 한항에 있어서, 상기 가소제는 DMC(dimethyl carbonate), EC(ethylene carbonate), EMC(ethyl methyl carbonate) PC(propylene carbonate) 및 DEC(diethyl carbonate)로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, 중량비로 PAN계/PVC계/PVdF계 혼합물의 1 내지 5배로 첨가되는 것을 특징으로 하는 삼성분계 고체고분자 전해질의 제조방법

4 4

제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 한항에 있어서, 상기 유기용매는 EC(ethylene carbonate), DMC(dimethyl carbonate), DMA(dimethyl acetamide), DMF(N,N-dimethylformamide), NMP(N-methyl-2-pyrrolidinone), DMSO(dimethyl sulfoxide), THF(tetra-hydrofuran), EMC(ethyl methyl carbonate), PC(propylene carbonate) 및 DEC(diethyl carbonate)로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, 중량비로 PAN계/PVC계/PVdF계 혼합물의 3 내지 10배로 첨가되는 것을 특징으로 하는 삼성분계 고체고분자 전해질의 제조방법

5 5

제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 한항에 있어서, PAN계/PVC계/PVdF계 혼합물에 SiO2 0∼20중량%를 추가로 첨가하는 것을 특징으로 하는 삼성분계 고체고분자 전해질의 제조방법

6 6

제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 한항에 있어서, 상기 유기용매 전해질이 리튬염이 용해된 EC-DEC용액, EC-DMC용액 및 EC-EMC용액으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 삼성분계 고체고분자 전해질의 제조방법

7 7

제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 한항에 있어서, 110∼180℃까지 가열하여 10분 내지 2시간 정도 고분자 블렌딩을 실시하여 고체고분자 전해질의 매트릭스를 형성하는 것을 특징으로 하는 삼성분계 고체고분자 전해질의 제조방법

8 8

제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 한항에 있어서, 상기 건조단계가 30∼100℃ 사이의 온도에서 10∼24시간 수행되는 것을 특징으로 하는 삼성분계 고체고분자 전해질의 제조방법

9 9

음극, 제 1 항 내지 제 6 항의 방법에 의해 제조된 삼성분계 고체고분자전해질, 양극, 제 1 항 내지 제 6 항의 방법에 의해 제조된 삼성분계 고체고분자전해질, 음극의 순으로 층을 순차적으로 적층하고 리튬염이 용해된 EC-DEC용액, EC-DMC용액 및 EC-EMC용액으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기용매 전해질을 주입하여 제조되는 것을 특징으로 하는 리튬고분자 전지의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.