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저온소결페라이트의제조방법

  • 기술번호 : KST2015122995
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 노이즈필터나 인닥터등의 재료로 사용되는 저온소결용 페라이트의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 하소된 페라이트분말에 V2O5와 ZrO2등의 다른 산화물을 혼합하여 열처리한 액상형성조제를 첨가하여 소결함으로써 제조된다. 이 때 액상형성조제를 구성하는 V2O5와 ZrO2, ZnO, Y2O3, SrO, SiO2등의 산화물간의 분율은 상태도상 액상선의 온도가 750~850℃ 사이인 조성이 바람직하다. 본 발명의 페라이트조성은 저온소결이 가능하고 내부전극인 Ag와 반응하지 않으며 우수한 전기적 특성을 나타낸다.
Int. CL C04B 35/26 (2006.01)
CPC C04B 35/26(2013.01) C04B 35/26(2013.01) C04B 35/26(2013.01)
출원번호/일자 1019930030635 (1993.12.29)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0102803-0000 (1996.07.31)
공개번호/일자 10-1995-0017841 (1995.07.20) 문서열기
공고번호/일자 1019960006238 (19960511) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.29)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경용 대한민국 서울특별시강남구
2 김왕섭 대한민국 경기도수원시장안구
3 이창호 대한민국 서울특별시동대문구
4 장광호 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.29 수리 (Accepted) 1-1-1993-0152821-70
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.29 수리 (Accepted) 1-1-1993-0152822-15
3 특허출원서
Patent Application		 1993.12.29 수리 (Accepted) 1-1-1993-0152820-24
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0073873-40
5 등록사정서
Decision to grant		 1996.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0073874-96
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

하소된 페라이트 분말에 V2O5와 다른 산화물을 혼합하여 열처리하여 안정한 상을 형성시킨 액상형성조제를 첨가하여 소결함을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 액상형성조제의 V2O5와 다른 산화물의 분율은 상태도상 액상선온도가 750∼850℃ 사이인 조성인 것을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법

3 3

제2항에 있어서, 다른 산화물은 ZrO2, ZnO, Y2O3, SrO, SiO2, MgO, CuO, CaO, BaO 또는 Al2O3인것을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.