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저온소결고유전율유전체자기조성물과,이조성물을이용하여제조된적층세라믹캐패시터및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015123017
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온소결 고유전율 유전체 자기조성물과, 이 조성물을 이용한 적층세라믹 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유전체 자기조성물이 〔95PMN-5PT〕-x(PbO)-y(CaO)-z(CuO)에서 x=2∼4mol%, y=0.5∼3.0mol%, z=3∼5mol%의 조성으로 이루어져 810℃까지의 저온에서도 소결가능하고, 유전율 12000이상, 유전손실 3%이하 및 절연저항 109Ωㆍ㎝이상을 가지는 효과가 있고, 이러한 유전체 자기조성물을 사용한 적층세라믹 캐패시터 및 그 제조방법은 저가의 비금속인 동을 내부전극 및 외부전극의 재료로 사용하여 유전체 자기조성물과 함께 환원분위기에서 동시소성할 수 있고, 환원분위기 소성공정의 냉각 과정에서의 재산화(reoxidation)공정에 의해 절연저항을 향상시키게 되는 효과가 있다.
Int. CL C04B 35/493 (2006.01) C04B 35/472 (2006.01)
CPC H01G 4/30(2013.01) H01G 4/30(2013.01) H01G 4/30(2013.01) H01G 4/30(2013.01) H01G 4/30(2013.01)
출원번호/일자 1019940036443 (1994.12.23)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0122581-0000 (1997.09.05)
공개번호/일자 10-1996-0022390 (1996.07.18) 문서열기
공고번호/일자 1019970008754 (19970528) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.23)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤호 대한민국 서울특별시노원구
2 김효태 대한민국 서울특별시성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164384-89
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164383-33
3 특허출원서
Patent Application
1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164382-98
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1997.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091286-16
5 등록사정서
Decision to grant
1997.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091287-51
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

다음의 조성

[95PMN-5PT]-x(PbO)-y(CaO)-z(CuO)에서

x=2~4mol%

y=0

2 2

유전체를 제 1 항 범위의 유전체 자기조성물로 하고, 이 유전체에 동(CuO)을 재료로 하여 내부전극 및 외부전극을 형성한 것을 특징으로 하는 적측세라믹 캐패시터

3 3

제 1 항 범위의 유전체 자기조성물의 미분말을 테잎캐스팅하기 위해 슬러리를 제조하는 공정과, 이 슬러리를 쉬트로 만들어 동(CuO)내부전극의 패턴을 인쇄하는 공정과, 이와같이 인쇄된 쉬트를 건조시킨 후 적층하고 압착한 다음에 절단하여 칩을 제조하는 공정과, 미소결된 칩의 유기 바인더를 제거하며 예비소결을 실시하는 공정과, 상기 소결전 칩의 모서리 연마공정과, 모서리 연마한 예비소결 칩에 동(CuO)외부전극을 형성하는 공정과, 상기의 칩을 환원분위기로에 적재하여 소결하는 공정과, 상기 소성공정의 냉각과정에서 재산화처리를 실시하는 공정과 순서로 진행하는 것을 특징으로 하는 적측세라믹 캐패시터의 제조방법

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 테잎캐스팅용 슬러리 제조공정에서 슬러리의 조합비는 유전체 분말 : 바인더 솔루션=64

5 5

제 3 항에 있어서, 상기 동(CuO)내부전극의 패턴을 인쇄하는 공정에서 내부전극용 동(CuO)페이스트의 조합비는 산화동 분말 : 바인더 솔루션=67

6 6

제 3 항에 있어서, 상기 동(CuO)외부전극을 형성하는 공정에서 외부전극용 동(CuO)페이스트이 조합비는 산화동 분말 : 바인더 솔루션 : 유전체 분말=72

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02990494 JP 일본 FAMILY
2 JP08239265 JP 일본 FAMILY
3 US05680291 US 미국 FAMILY
4 US06101693 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1087865 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1135082 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 DE19548351 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 DE19548351 DE 독일 DOCDBFAMILY
5 JP2990494 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP8239265 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JPH08239265 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 US5680291 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US6101693 US 미국 DOCDBFAMILY
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