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Ⅱ족 금속 원소 분위기 조절에 의한 ＣｄＴｅ 및ＣｄＺｎＴｅ 박막의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015123084
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열 증착법(thermal evaporation), 전자빔(e-beam) 증착법 또는 스퍼터링 방법 등으로 HgCdTe 물질을 기반으로 하는 적외선 검출 소자의 표면 보호막 또는 X-선 검출 소자용으로서의 CdTe 또는 CdZnTe막을 증착할 경우 증착된 막의 구성 성분에서 II족 금속 원소의 결핍 상태를 해소하기 위해서 별도의 II족 금속 원소 증발원을 추가하여 사용하여 이종의 기판 위에 양질의 CdTe 또는 CdZnTe 막을 증착하는 방법을 제공한다.기존의 열 증착법 또는 전자빔 증착법으로 CdTe 또는 CdZnTe를 증착할 경우 증발원에서 II족 금속 원소의 높은 증기압으로 인하여 증착된 막은 화학양론적 조성에서 항상 II족 금속 원소가 결핍된 상태로 나타나게 된다. 이로 인하여 증착된 박막은 전기적 전도성을 나타내어 적외선 검출 소자의 보호막 또는 X-선 검출 소자로서의 성능을 떨어뜨린다. 이러한 문제를 해소하기 위하여, 본 발명에 따르면, 증발원으로 사용하는 CdTe 또는 CdZnTe 이외에 추가로 II족 금속 원소 증발원을 증착기 내에 장착하여 II족 금속 원소 분위기를 제공함으로써 상기의 문제를 해결하고 우수한 특성을 갖는 CdTe 또는 CdZnTe 막을 얻을 수 있다.적외선 검출 소자, X-선 검출기, 표면 보호막, CdTe, CdZnTe, HgCdTe
Int. CL H01L 31/09 (2006.01)
CPC H01L 31/18(2013.01)H01L 31/18(2013.01)H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020020010793 (2002.02.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0455539-0000 (2004.10.25)
공개번호/일자 10-2003-0071205 (2003.09.03) 문서열기
공고번호/일자 (20041106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.02.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서상희 대한민국 서울특별시강남구
2 김진상 대한민국 서울특별시동작구
3 안세영 대한민국 서울특별시성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2002-0060313-32
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2003-0048370-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0050861-77
5 의견서
Written Opinion		 2004.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2004-0142021-86
6 등록결정서
Decision to grant		 2004.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0434301-27
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

CdTe 또는 CdZnTe를 이종의 기판 상에 증착시키는 방법에 있어서, 증착 반응기 내에 CdTe 또는 CdZnTe 공급원 증발셀 이외에 II족 금속 원소 공급원 증발셀을 추가로 장착하여 가스 상태의 II족 금속 원소를 CdTe 또는 CdZnTe와 동시에 이종 기판에 공급하여 증착시키는 것을 포함하는, II족 금속 원소 분위기 조절에 의한 CdTe 또는 CdZnTe 박막의 제조 방법

2 2

제1항에 있어서, II족 금속 원소가 Cd 또는 Zn인 방법

3 3

제1항에 있어서, 기판이 HgCdTe인 방법

4 4

제1항에 있어서, 증착반응기가 열 증착 반응기, 전자빔 증착반응기 또는 라디오 주파수의 스퍼터링 증착반응기인 방법

5 5

제1항에 있어서, II족 금속 원소 공급원 증발셀의 온도가 40℃ 내지 300℃로 제어되는 것인 방법

6 6

제1항에 있어서, 추가로 장착하는 II족 금속 원소 공급원 증발셀이 직접가열 방식, 유도가열 방식 또는 복사가열 방식에 의해 가열되는 것인 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.