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소정의 기판 상에 형성된 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성되며 억셉터(acceptor)가 도핑된 비정질 (Ba1-xSrx)TiO3(BST)막 - 여기서, x=0
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2
제 1 항에 있어서,상기 억셉터는 Mg, Ni, Mn 중 어느 하나이며, 억셉터가 0
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제 2 항에 있어서,상기 비정질 BST막은 스퍼터링(sputtering) 방법 및 PLD(pulsed laser deposition) 방법 중의 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 내장형 커패시터
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4 |
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제 3 항에 있어서,상기 비정질 BST막은 상온 또는 200 ℃ 이하에서 약 10~2000 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 내장형 커패시터
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5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 기판은 유연한(flexible) 플라스틱 기판 또는 실리콘(Si) 기판인 것을 특징으로 하는 내장형 커패시터
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6
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 Pt, Au, Ag, Pd, Cu, Ni, Cr, Mo 중의 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 내장형 커패시터
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7 |
7
내장형 커패시터 제조 방법에 있어서,a) 소정의 기판에 제 1 전극을 형성하는 단계;b) 상지 제 1 전극 상에 억셉터가 도핑된 비정질 (Ba1-xSrx)TiO3(BST)막 - 여기서, x=0
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8
제 7 항에 있어서,상기 억셉터는 Mg, Ni, Mn 중 어느 하나이며, 억셉터가 0
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9
제 8 항에 있어서,상기 비정질 BST막은 스퍼터링 방법 및 PLD(pulsed laser deposition) 방법 중의 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 내장형 커패시터 제조 방법
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10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 비정질 BST막은 상온 또는 200 ℃ 이하에서 약 10~2000 nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 내장형 커패시터 제조 방법
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11
제 7 항에 있어서,상기 기판은 유연한(flexible) 플라스틱 기판 또는 실리콘(Si) 기판인 것을 특징으로 하는 내장형 커패시터 제조 방법
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