기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

내장형 커패시터 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015123094
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 커패시터의 유전체막으로 비정질 BST에 억셉터를 도핑하여 사용함으로써 저유전손실, 저누설전류, 고절연파괴전압 등의 우수한 유전 특성을 갖는 내장형 커패시터(embedded capacitor)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 내장형 커패시터는 소정의 기판 상에 형성된 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성되며 억셉터(acceptor)가 도핑된 비정질 (Ba1-xSrx)TiO3(BST)막 - 여기서, x=0.3~1 - 및 상기 비정질 BST막 상에 형성된 제 2 전극을 포함한다.내장형 캐패시터, PCB(printed circuit board), 억셉터(acceptor), 억셉터 레벨, BST, 유전체막, PZT, 스퍼터링(sputtering), PLD(Pulsed laser deposition)
Int. CL	H01G 4/018 (2006.01)
CPC	H01G 4/008(2013.01) H01G 4/008(2013.01)
출원번호/일자	1020060018208 (2006.02.24)
출원인	한국과학기술연구원
등록번호/일자	10-0781964-0000 (2007.11.28)
공개번호/일자	10-2007-0058286 (2007.06.08) 문서열기
공고번호/일자	(20071206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020050116917 \| 2005.12.02
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2006.02.24)
심사청구항수	11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술연구원	대한민국	서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김일두	대한민국	서울 영등포구
2	강경태	대한민국	울산 남구
3	홍재민	대한민국	서울 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	주성민	대한민국	서울특별시 종로구 사직로길 , 세양빌딩 (내자동) 층(김.장법률사무소)
2	장수길	대한민국	서울특별시 종로구 사직로길 , 세양빌딩 (내자동) 층(김.장법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술연구원	대한민국	서울특별시 성북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.02.24	수리 (Accepted)	1-1-2006-0136959-69
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2006.11.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2006.12.05	수리 (Accepted)	9-1-2006-0081510-69
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2007.05.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0277572-03
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2007.07.20	수리 (Accepted)	1-1-2007-0526891-80
6	등록결정서 Decision to grant	2007.11.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0616669-30
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2009-5247056-16
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.02.19	수리 (Accepted)	4-1-2014-5022002-69

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 소정의 기판 상에 형성된 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성되며 억셉터(acceptor)가 도핑된 비정질 (Ba1-xSrx)TiO3(BST)막 - 여기서, x=0
2	2 제 1 항에 있어서,상기 억셉터는 Mg, Ni, Mn 중 어느 하나이며, 억셉터가 0
3	3 제 2 항에 있어서,상기 비정질 BST막은 스퍼터링(sputtering) 방법 및 PLD(pulsed laser deposition) 방법 중의 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 내장형 커패시터
4	4 제 3 항에 있어서,상기 비정질 BST막은 상온 또는 200 ℃ 이하에서 약 10~2000 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 내장형 커패시터
5	5 제 1 항에 있어서,상기 기판은 유연한(flexible) 플라스틱 기판 또는 실리콘(Si) 기판인 것을 특징으로 하는 내장형 커패시터
6	6 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 Pt, Au, Ag, Pd, Cu, Ni, Cr, Mo 중의 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 내장형 커패시터
7	7 내장형 커패시터 제조 방법에 있어서,a) 소정의 기판에 제 1 전극을 형성하는 단계;b) 상지 제 1 전극 상에 억셉터가 도핑된 비정질 (Ba1-xSrx)TiO3(BST)막 - 여기서, x=0
8	8 제 7 항에 있어서,상기 억셉터는 Mg, Ni, Mn 중 어느 하나이며, 억셉터가 0
9	9 제 8 항에 있어서,상기 비정질 BST막은 스퍼터링 방법 및 PLD(pulsed laser deposition) 방법 중의 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 내장형 커패시터 제조 방법
10	10 제 9 항에 있어서,상기 비정질 BST막은 상온 또는 200 ℃ 이하에서 약 10~2000 nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 내장형 커패시터 제조 방법
11	11 제 7 항에 있어서,상기 기판은 유연한(flexible) 플라스틱 기판 또는 실리콘(Si) 기판인 것을 특징으로 하는 내장형 커패시터 제조 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0781964-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20060224 출원 번호 : 1020060018208 공고 연월일 : 20071206 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20071120 청구범위의 항수 : 11 유별 : H01G 4/018 발명의 명칭 : 내장형 커패시터 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20161129

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	337,500 원	2007년 11월 29일	납입
제 4 년분	금 액	282,000 원	2010년 10월 29일	납입
제 5 년분	금 액	282,000 원	2011년 10월 19일	납입
제 6 년분	금 액	282,000 원	2012년 10월 31일	납입
제 7 년분	금 액	518,000 원	2013년 10월 29일	납입
제 8 년분	금 액	518,000 원	2014년 11월 03일	납입
제 9 년분	금 액	518,000 원	2015년 11월 02일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.02.24	수리 (Accepted)	1-1-2006-0136959-69
2	선행기술조사의뢰서	2006.11.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2006.12.05	수리 (Accepted)	9-1-2006-0081510-69
4	의견제출통지서	2007.05.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0277572-03
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2007.07.20	수리 (Accepted)	1-1-2007-0526891-80
6	등록결정서	2007.11.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0616669-30
7	출원인정보변경(경정)신고서	2009.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2009-5247056-16
8	출원인정보변경(경정)신고서	2014.02.19	수리 (Accepted)	4-1-2014-5022002-69


과제고유번호	1350013220
세부과제번호	2V01060
연구과제명	연구정책및지원과제
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	과학기술부
연구주관기관명	한국과학기술연구원
성과제출연도	2006
연구기간	200601~200612
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)


과제고유번호	1350002106
세부과제번호	2V00700
연구과제명	NRL
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	과학기술부
연구주관기관명	한국과학기술연구원
성과제출연도	2005
연구기간	200501~200512
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	기타

특허성과

[1020060122415]	당귀 추출물 또는 이로부터 분리한 쿠마린계 화합물을 유효성분으로 함유하는 폐암 예방용 조성물	새창보기
[1020060018208]	내장형 커패시터 및 그 제조 방법	새창보기
[1020050092581]	고체산화물 연료전지용 페이스트, 이를 이용한 연료극지지형 고체산화물 연료전지 및 그 제조 방법	새창보기
[1020050016366]	고분자 위에 접착력이 강한 금속 박막을 형성하기 위한 방법 및 장치	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2022008943][한국과학기술연구원]	유전 분산이 없는 칼슘 리튬 나이오베이트 유전체 조성물 및 그 제조방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택