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보자력 차이를 이용한 거대자기저항 스핀밸브의 자기저항박막 제조방법

  • 기술번호 : KST2015123142
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Si/SiO2 기판 및 Si 기판 위에 Ta 층을 버퍼층으로 사용하며 강자성 재료인 CoFe 박막과 NiFe 박막의 자기적 특성을 변화시키는 제조방법 및 상기 CoFe 박막과 NiFe 박막의 특성을 이용하여 강자성층/비자성층/강자성층 구조의 슈도 스핀밸브 박막을 제조하여 박막의 압축자기이방성을 제어하고 두 강자성층의 보자력 차이를 이용한 비휘발성 메모리용 자기저항 소자의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 43/02 (2006.01)
CPC H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01)
출원번호/일자 1020010064353 (2001.10.18)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0440731-0000 (2004.07.07)
공개번호/일자 10-2003-0032533 (2003.04.26) 문서열기
공고번호/일자 (20040721) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.10.18)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광윤 대한민국 서울특별시노원구
2 최원준 대한민국 서울특별시양천구
3 김은규 대한민국 서울특별시마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2001-0267456-61
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.11.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2001-0298583-77
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0334328-02
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2003-0401823-05
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2003-0451404-94
7 의견서
Written Opinion		 2003.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2003-5251639-19
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0504303-13
9 등록결정서
Decision to grant		 2004.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0242080-28
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판 위에 버퍼층/제 1 강자성층/비자성층/제 2 강자성층/보호층 구조로 적층시킨 거대자기저항 스핀밸브의 자기저항 박막의 제조방법에 있어서, 제 1 강자성층으로서 Fe의 함량이 25% 이하인 연자성의 CoFe를 스퍼터링 전력 20 ~ 100 W, Ar 분압 5 ~ 10 mTorr 의 조건 하에서 두께 20 ~ 100 Å으로 적층시켜 높은 보자력을 갖게 하는 단계, 및 제 2 강자성층으로서 Fe 함량이 19 내지 22%인 연자성의 NiFe를 스퍼터링 전력 30 ~ 100 W, Ar 분압 1 ~ 15 mTorr 의 조건하에서 두께 20 ~ 100 Å으로 적층시켜 낮은 보자력을 갖게 하는 단계를 포함하는 거대자기저항 스핀밸브의 자기저항 박막 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 기판으로서 Si 기판, Si/SiO2 또는 유리 기판을 사용하는 거대자기저항 스핀밸브의 자기저항 박막 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층 및 보호층으로 Ta 를 두께 5 ~ 200 Å 으로 적층시키는 거대자기저항 스핀밸브의 자기저항 박막 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 비자성층으로 Cu 를 두께 20 ~ 60 Å 으로 적층시키는 거대자기저항 스핀밸브의 자기저항 박막 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 강자성층으로서 CoFe를 두께 40 ~ 80 Å 으로 적층시키는 거대자기저항 스핀밸브의 자기저항 박막 제조방법

6 6

제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 비자성층과 제 2 강자성층 사이에 제 3 강자성층으로서 CoFe 를 두께 2 ~ 20 Å 으로 적층시키는 단계를 추가적으로 포함하는 거대자기저항 스핀밸브의 자기저항 박막 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.