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가속전압 300 ~ 200V로 에너지를 부여한 이온빔을 진공챔버 내의 고분자 표면에 조사하여 상기 고분자 표면의 결합을 일부 파괴하고, 상기 진공챔버 내로 반응성 가스를 주입하여 결합이 파괴된 상기 고분자 표면의 원자들을 상기 반응성 가스와 반응하게 함으로써 상기 고분자 표면에 친수성기를 생성시키고, 도금용액으로 상기 고분자 표면에 금속막을 도금할 때, 상기 금속막의 금속 원자와 상기 친수성기와의 상기 고분자 표면에서의 증가된 도너-억셉터 상호작용으로 금속 배양층 없이 상기 고분자 표면에 금속막을 도금하는 것을 특징으로 하는 고분자 표면과 도금된 금속막의 접착력 향상방법
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제1항에 있어서, 상기 이온은 아르곤, 질소, 수소, 헬륨, 산소, 암모니아등의 이온화가 가능한 가스의 단독 혹은 혼합 형태인 것을 특징으로 하는 고분자 표면과 도금된 금속막의 접착력 향상방법
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제1항에 있어서, 상기 반응성 가스는 산소, 질소, 암모니아, 수소 등의 단독 또는 혼합 형태인 것을 특징으로 하는 고분자 표면과 도금된 금속막의 접착력 향상방법
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제1항에 있어서, 상기 금속막의 도금은 무전해도금 또는 전해도금 방법으로 처리하는 것을 특징으로 하는 고분자 표면과 도금된 금속막의 접착력 향상방법
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제1항에 있어서 상기 고분자는 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌 (polypropylene), 폴리테트라플르오르에틸렌(polytetrafluoroethylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephtalate), 실리콘 러버(silicon rubber), 폴리스타일렌(polystylene), 폴리카보네이트(polycabonate), 에폭시(epoxy)등의 열가소성 또는 열경화성 수지인 것을 특징으로 하는 고분자 표면과 도금된 금속막의 접착력 향상방법
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