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라튬나오베이트결정의분극반전층제조방법

  • 기술번호 : KST2015123225
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 +Z면 리튬나오베이트 기판 위에 티타늄박막을 확산시켜 분극반전을 얻는 방법에 관한 것으로, 표면 분극반전층을 형성하지 않으며, 횡방향 확산된 티타늄 농도를 조절함으로써 분극반전의 깊이 조절이 가능하고, 기판으로부터의 리튬옥사이드 외부확산량이 적어 광도파로 형성후 표면도파현상이 거의 없는 분극반전층의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의한 분극반전층 형성방법은 +Z면 리튬나오베이트 기판 위의 분극반전층을 형성하지 않을 부분에 티타늄박막을 형성한 후, 열처리를 행하여 티타늄을 횡방향으로 확산시켜 분극반전층을 형성하는 것이다.본 발명에 의하면, 횡방향 확산된 티타늄농도를 조절하여 표면 분극반전층의 형성없이 분극반전 깊이를 조절할 수 있으며, 이에 따라 준위상정합된 집적광학 광도파로형 제2고조파 발생소자의 변화효율의 최대화를 매우 용이하게 실현할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 41/253 (2013.01)
CPC H01L 21/28512(2013.01) H01L 21/28512(2013.01) H01L 21/28512(2013.01)
출원번호/일자 1019940035563 (1994.12.21)
출원인 주식회사 엘지이아이, 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0161897-0000 (1998.08.26)
공개번호/일자 10-1996-0026998 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19981201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지이아이 대한민국 서울특별시 영등포구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상윤 대한민국 대전직할시유성구
2 신상영 대한민국 서울특별시강남구
3 윤두협 대한민국 경기도안양시
4 진공성 대한민국 서울특별시강남구
5 진용성 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시유성구
2 엘지전자주식회사 대한민국 서울특별시영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0160147-82
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0160146-36
3 특허출원서
Patent Application		 1994.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0160145-91
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1995.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1994-0160148-27
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1996.01.18 수리 (Accepted) 1-1-1994-0160149-73
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0089181-17
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.05.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0160150-19
8 의견서
Written Opinion		 1998.05.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0160151-65
9 등록사정서
Decision to grant		 1998.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0089183-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008437-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2000-0033420-65
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.03.29 수리 (Accepted) 4-1-2001-0036111-11
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2002-5030566-15
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

+Z면 리튬나오베이트 기판상에 분극반전을 원치 않는 부분에 소정의 폭과 두께를 갖는 티타늄박막을 주기적으로 형성하는 단계와, 열처리공정에 의해 상기 주기적으로 형성된 티타늄박막을 횡방향으로 확산시켜 티타늄박막이 기판과 접하는 중앙부를 제외한 양쪽의 기판영역에 분극반전층을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 리튬나오베이트 결정의 분극반전층 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 티타늄박막은 폭이 좁은 띠형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 리튬나오베이트 결정의 분극반전층 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 티타늄박막의 두께와 폭 및 상기 열처리공정의 조건을 조절하여 상기 횡확산되는 티타늄의 농도를 조절하는 것을 특징으로 하는 리튬나오베이트 결정의 분극반전층 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 티타늄박막의 두께는 10-40nm 인 것을 특징으로 하는 리튬나오베이트 결정의 분극반전층 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 티타늄박막의 열처리공정은 1000-1050℃에서 2-5시간동안 행하는 것을 특징으로 하는 리튬나오베이트 결정의 분극반전층 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.