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절삭공구의다이아몬드박막코팅방법

  • 기술번호 : KST2015123264
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 절삭공구의 표면에 다이아몬드 박막을 코팅하는 방법에 관한 것으로, 모재와 다이아몬드막간의 접착강도를 향상시키기 위한 다이아몬드 박막 코팅방법에 관한 것이다. 본 발명은 다이아몬드막과 모재와의 접착강도를 향상시키기 위한 방편으로, 먼저 모재에 요철을 형성하고 중간층으로서 다이아몬드-탄화물의 혼합분말층, 초경탄화물층 또는 다이아몬드-초경탄화물 경사복합층을 형성한 후 그 위에 다이아몬드 박막을 코팅하는 과정으로 이루어진다. 본 발명은 다이아몬드막과 모재간의 접착강도가 높을 뿐만 아니라, 경도, 내마모도, 잔류응력등 막의 기계적 특성까지도 자유롭게 조절할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL C23C 16/00 (2006.01)
CPC C23C 16/0272(2013.01) C23C 16/0272(2013.01) C23C 16/0272(2013.01) C23C 16/0272(2013.01) C23C 16/0272(2013.01)
출원번호/일자 1019930026584 (1993.12.06)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0103044-0000 (1996.08.03)
공개번호/일자 10-1995-0018631 (1995.07.22) 문서열기
공고번호/일자 1019960006051 (19960508) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.06)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백영준 대한민국 서울특별시노원구
2 은광용 대한민국 서울특별시송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.12.06 수리 (Accepted) 1-1-1993-0134581-95
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.06 수리 (Accepted) 1-1-1993-0134583-86
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.06 수리 (Accepted) 1-1-1993-0134582-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1996.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0062324-49
5 의견서
Written Opinion		 1996.03.14 수리 (Accepted) 1-1-1993-0134585-77
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1996.03.14 수리 (Accepted) 1-1-1993-0134584-21
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0062325-95
8 등록사정서
Decision to grant		 1996.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0062326-30
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

절삭공구의 표면에 다이아몬드 박막을 코팅하는 방법에 있어서, 모재와 다이아몬드 사이에 중간층을 형성하되, 이 중간층을 다이아몬드와 탄화물의 혼합층으로 형성하거나, 이러한 중간층의 다이아몬드분율을 모재와의 거리에 따라 0%에서 100%까지 연속적으로 변화되는 경사층으로 형성하여 열팽창계수의 차이를 조절하고, 모재와 중간층, 중간층과 다이아몬드막과의 결합력을 최대화하도록 한 절삭공구의 다이아몬드 박막 코팅방법

2 2

제1항에 있어서, 모재는 WC-Co의 초경합금으로 이루어진 초경모재인 것을 특징으로 하는 절삭공구의 다이아몬드 박막 코팅방법

3 3

제2항에 있어서, 초경모재는 표면의 Co결합상을 부식시켜 모래표면에 요철이 형성되도록 함을 특징으로 하는 절삭공구의 다이아몬드 박막 코팅방법

4 4

제1항에 있어서, 다이아몬드-탄화물의 혼합분리층은 분말처리법, 졸-겔법 또는 딥코팅법에 의해 형성됨을 특징으로 하는 절삭공구의 다이아몬드 박막 코팅방법

5 5

제1항에 있어서, 탄화물은 기상으로부터의 증착에 의한 텅스텐 화합물, 타이타늄탄화물 또는 탄탈륨 탄화물중 선택된 어느 하나로 이루어진 초경탄화물인 것을 특징으로 하는 절삭공구의 다이아몬드 박막 코팅방법

6 6

절삭공구의 표면에 다이아몬드 박막을 코팅하는 방법에 있어서, 부식에 의해 요철이 형성된 초경모재위에 중간층으로서 초경탄화물층을 형성한 다음, 그 위에 다이아몬드와 탄화물을 동시에 코팅하여 다이아몬드-초경탄화물 복합막을 형성함을 특징으로 하는 절삭공구의 다이아몬드 박막 코팅방법

7 7

절삭공구의 표면에 다이아몬드 박막을 코팅하는 방법에 있어서, 실리콘질화물모재를 연마하여 표면에 요철을 형성시킨 후 중간층으로서 실리콘탄화물층을 형성시키고, 그 위에 다이아몬드-실리콘탄화물 경사복합층과 다이아몬드만으로 구성된 다이아몬드 박막을 순차적으로 코팅시킴을 특징으로 하는 절삭공구의 다이아몬드 박막 코팅방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.