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혐기성 암모늄 산화 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015123277
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 혐기성 암모늄 산화 공정을 고농도 질소 폐수에 순응된 혐기성 암모늄 산화 미생물 입상 슬러지 이용 공정 및 저농도 질소 폐수에 순응된 혐기성 암모늄 산화 미생물이 부착된 부직포 생물막 이용 공정으로 단계적으로 구현하는 혐기성 암모늄 산화 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 배양 조건이 까다로운 혐기성 암모늄 산화 미생물을 고농도로 배양하고 안정적으로 미생물 군집을 유지할 수 있으며 질소제거 효율을 높일 수 있다.혐기성암모늄산화균, 입상슬러지, 부직포, 암모니아성질소, 아질산성질소
Int. CL C02F 3/34 (2006.01) C02F 3/10 (2006.01)
CPC C02F 3/2813(2013.01) C02F 3/2813(2013.01) C02F 3/2813(2013.01)
출원번호/일자 1020070032084 (2007.03.31)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0852760-0000 (2008.08.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080818) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.31)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정진영 대한민국 서울 강남구
2 정윤철 대한민국 서울 도봉구
3 배효관 대한민국 울산 남구
4 김이중 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0252632-78
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0008186-92
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0090144-24
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0287236-44
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0364966-95
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0449326-11
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.07.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0518608-88
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0518618-34
10 등록결정서
Decision to grant
2008.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0391225-51
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
혐기성 암모늄 산화 장치에 있어서, 혐기성 암모늄 산화를 수행하는 제 1 반응기 및 혐기성 암모늄 산화를 수행하는 제 2 반응기를 포함하고, 제 1 반응기에는 혐기성 암모늄 산화 미생물의 입상 슬러지가 충전되고, 상기 입상 슬러지는 기질인 암모니아성 질소 및 아질산성 질소의 농도가 600mg/L 이상인 고농도의 폐수에 순응된 것을 특징으로 하며,제 2 반응기에는 상기 제 1 반응기로부터의 처리수가 유입되고, 양전하를 띠는 부직포가 충전되며, 상기 부직포에 상기 처리수의 혐기성 산화 미생물이 부착된 것을 특징으로 하는 혐기성 암모늄 산화 장치
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 입상 슬러지는 상기 고농도의 폐수에서 6 개월 이상 순응된 것을 특징으로 하는 혐기성 암모늄 산화 장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 반응기의 혐기성 암모늄 산화 미생물은 기질인 암모니아성 질소 및 아질산성 질소의 농도의 합이 400mg/L 미만인 저농도의 폐수에 순응된 것을 특징으로 하는 혐기성 암모늄 산화 장치
5 5
제 4 항에 있어서,상기 혐기성 암모늄 산화 미생물은 상기 저농도의 폐수에서 1 개월 이상 순응된 것을 특징으로 하는 혐기성 암모늄 산화 장치
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 부직포는 방사형 부직포인 것을 특징으로 하는 혐기성 암모늄 산화 장치
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제 1 반응기와 상기 제 2 반응기는 천공된 분리판을 사이에 두고 서로 연결된 것을 특징으로 하는 혐기성 암모늄 산화 장치
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 반응기 내의 폐수가 재순환되는 것을 특징으로 하는 혐기성 암모늄 산화 장치
9 9
제 8 항에 있어서,상기 재순환시 상향류 속도는 2~50m/시간(hr)인 것을 특징으로 하는 혐기성 암모늄 산화 장치
10 10
제 1 항에 있어서,상기 장치는 1개월 이내에 0
11 11
혐기성 암모늄 산화 방법에 있어서, 혐기성 암모늄 산화 미생물의 입상 슬러지를 이용하여 폐수 내의 암모니아성 질소 또는 아질산성 질소 중 하나 또는 둘을 1차로 혐기성 조건에서 질소 가스화하며, 상기 입상 슬러지는 기질인 암모니아성 질소 및 아질산성 질소의 농도가 600mg/L 이상인 고농도의 폐수에 순응된 것을 특징으로 하는 단계(S1); 및 상기 S1 단계를 거친 후 유출된 처리수를 양전하를 띠는 부직포를 거치도록 하여 상기 처리수 내의 암모니아성 질소 또는 아질산성 질소 중 하나 또는 둘을 2차로 혐기성 조건에서 질소 가스화하는 단계(S2);를 포함하는 것을 특징으로 하는 혐기성 암모늄 산화 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.