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텅스텐 복합 분말, 이로부터 형성된 코팅재, 및 텅스텐복합 분말의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015123288
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 텅스텐 복합 분말, 이로부터 형성된 코팅재, 및 텅스텐 복합 분말의 제조 방법을 제공한다. 텅스텐 복합 분말의 제조 방법은, i) 각각 0.1㎛ 내지 30㎛의 직경을 가진 W 입자들 및 SiC 입자들을 중량분율로 W1-xSiCx 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 제공하는 단계, ii) 혼합물을 분무 건조하여 분말을 제공하는 단계, 및 iii) 분말을 하소 열처리하는 단계를 포함한다. 여기서, x는 0.001 내지 0.3이다. 더욱 바람직하게는, x는 0.001 내지 0.15일 수 있다. 텅스텐 복합 분말, 플라스마, 코팅재, 핵융합로
Int. CL B22F 9/08 (2006.01)
CPC B22F 9/026(2013.01) B22F 9/026(2013.01) B22F 9/026(2013.01)
출원번호/일자 1020080005374 (2008.01.17)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0981368-0000 (2010.09.03)
공개번호/일자 10-2008-0114475 (2008.12.31) 문서열기
공고번호/일자 (20100910) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070062259   |   2007.06.25
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.17)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 석현광 대한민국 서울 강남구
2 한승희 대한민국 서울 노원구
3 김유찬 대한민국 경기도 고양시 덕양구
4 심재혁 대한민국 서울특별시 광진구
5 김동익 대한민국 서울특별시 서대문구
6 백경호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0040764-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0040852-77
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0489102-09
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0055684-14
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.01.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0055689-31
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0226059-01
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2010.06.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0027866-11
10 등록결정서
Decision to grant
2010.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0380952-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
각각 0
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 분말을 하소 열처리하는 단계에서, 상기 분말을 800℃ 내지 1500℃에서 하소 열처리하는 텅스텐 복합 분말의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 분말을 제공하는 단계에서, 상기 혼합물 및 상기 용매에 결합제 및 분산제를 더 혼합하는 텅스텐 복합 분말의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 분말을 하소 열처리하는 단계에서, 상기 하소 열처리에 의해 제조한 텅스텐 복합 분말의 직경은 0
6 6
제5항에 있어서, 상기 텅스텐 복합 분말의 직경은 5㎛ 내지 50㎛인 텅스텐 복합 분말의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 혼합물을 제공하는 단계에서, 상기 직경은 0
8 8
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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16 16
중량분율로 W1-xSiCx 조성을 가지고, 직경이 0
17 17
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.