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금속전극패턴 최적화를 통한 태양전지 효율 개선방법

  • 기술번호 : KST2015123319
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체를 이용한 태양전지 제조시 금속전극형태를 최적화하여 태양전지의 효율을 증가시키는 방법에 관한 것이다. 반도체를 이용한 태양전지 제조시 광전변환효율을 향상시키기 위하여 태양전지 전면의 최적의 금속전극형태의 설계는 태양광이 입사되는 전면의 금속전극형태를 손가락 모양의 그리드로 제작하되, 그리드의 폭을 0.1~1μm로 하고 그리드의 수는 금속전극전체의 면적이 태양전지 전체 면적의 8~10%가 되도록 정하고, 그리드를 설계함에 있어서 그리드와 그리드 사이의 간격을 일정하게 하며, 그리드와 그리드를 연결하는 연결선이 가로의 그리드선과 정중앙으로 병렬의 형태로 연결되도록 설계함으로써 태양전지의 광전변환효율을 극대화시키는 금속전극패턴 최적화를 통한 태양전지의 효율 개선방법이 제시되어 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01L 31/022433(2013.01) H01L 31/022433(2013.01) H01L 31/022433(2013.01) H01L 31/022433(2013.01)
출원번호/일자 1019980013904 (1998.04.18)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1999-0080558 (1999.11.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.04.18)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김효진 서울특별시 도봉구
2 김춘근 서울특별시 강남구
3 김용태 서울시 송파구
4 박영균 서울시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.04.18 수리 (Accepted) 1-1-1998-0044141-69
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.04.18 수리 (Accepted) 1-1-1998-0044142-15
3 특허출원서
Patent Application		 1998.04.18 수리 (Accepted) 1-1-1998-0044140-13
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 1999.02.24 수리 (Accepted) 1-1-1999-5086081-64
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0144517-64
12 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2000.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0254188-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

반도체를 이용한 태양전지 제작시 사용되는 금속전극형태 설계에 있어서,

태양전지의 후면은 금속전극으로 하고, 태양광이 입사되는 전면의 금속전극형태는 손가락 모양의 그리드(20)로 제작하되, 그리드(20)의 폭을 0

2 2

제 1항에 있어서, 태양전지 전면의 금속전극 그리드를 설계함에 있어서,

그리드(20)와 그리드(20) 사이의 간격을 일정하게 하는 것을 그 특징으로 하는 금속전극패턴 최적화를 통한 태양전지 효율 개선방법

3 3

제 1항에 있어서, 태양전지 전면의 금속전극 그리드를 설계함에 있어서,

그리드(20)와 그리드(20)를 연결하는 연결선(30)이 도 6의 예시도의 (c)처럼 가로의 그리드선과 정중앙으로 병렬의 형태로 연결되도록 설계하는 것을 특징으로 하는 금속전극패턴 최적화를 통한 태양전지 효율 개선방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.