| 1 |
1
코어부, 상기 코어부를 둘러싸는 클래드부, 및 함몰 영역을 포함하는 광섬유; 및상기 함몰 영역상에 위치하는 표면 플라즈몬 여기층을 포함하되,상기 표면 플라즈몬 여기층은, 제1 여기층, 제2 여기층 및 상기 제1 여기층과 상기 제2 여기층 사이의 광 도파로층을 포함하며,상기 코어부를 통해 전파되며 공진 조건을 만족하는 입사광이 광 도파로 모드로 상기 광 도파로층에 커플링되고, 상기 광 도파로층에 커플링된 상기 입사광에 의해 상기 표면 플라즈몬 여기층에 표면 플라즈몬 파가 여기되는 것을 특징으로 하는 광섬유 표면 플라즈몬 공진 센서
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 함몰 영역의 깊이는 상기 클래드부의 두께보다 크거나 같으며,상기 표면 플라즈몬 여기층은 상기 함몰 영역을 통해 상기 코어부와 접촉하는 것을 특징으로 하는 광섬유 표면 플라즈몬 공진 센서
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 함몰 영역의 깊이는 상기 클래드부의 두께보다 작으며,상기 표면 플라즈몬 여기층은 상기 함몰 영역을 통해 상기 클래드부와 접촉하는 것을 특징으로 하는 광섬유 표면 플라즈몬 공진 센서
|
| 4 |
4
제 3항에 있어서,상기 코어부와 상기 표면 플라즈몬 여기층 사이의 거리는, 상기 코어부를 통해 전파되며 공진 조건을 만족하는 입사광에 의해 상기 표면 플라즈몬 여기층에 플라즈몬이 여기될 수 있는 크기로 결정되는 것을 특징으로 하는 광섬유 표면 플라즈몬 공진 센서
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서,상기 함몰 영역은 상기 광섬유의 길이 방향에 수직한 방향의 표면상에 형성된 것을 특징으로 하는 광섬유 표면 플라즈몬 공진 센서
|
| 6 |
6
제 5항에 있어서,상기 함몰 영역은 상기 광섬유의 표면을 따라 원주 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광섬유 표면 플라즈몬 공진 센서
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서,상기 광섬유는, 상기 코어부를 통해 입사광이 입사되는 제1 단 및 상기 제1 단 반대편의 제2 단을 포함하며, 상기 표면 플라즈몬 공진 센서는, 상기 제2 단에 위치하여 상기 입사광을 반사시키는 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 표면 플라즈몬 공진 센서
|
| 8 |
8
제 7항에 있어서,상기 반사층은 상기 광섬유의 길이 방향을 따라 상기 표면 플라즈몬 여기층과 이격된 것을 특징으로 하는 광섬유 표면 플라즈몬 공진 센서
|
| 9 |
9
제 7항에 있어서,상기 반사층은 상기 표면 플라즈몬 여기층과 접촉하는 것을 특징으로 하는 광섬유 표면 플라즈몬 공진 센서
|
| 10 |
10
제 1항에 있어서,상기 광 도파로층의 두께는 상기 코어부에 입사되는 입사광의 파장에 기초하여 결정되는 것을 특징으로 하는 광섬유 표면 플라즈몬 공진 센서
|
| 11 |
11
제 1항에 있어서,상기 제1 여기층은, 금속, 반도체, 투명 전도 산화물, 탄소계 물질, 칼코지나이드 물질 또는 유전체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광섬유 표면 플라즈몬 공진 센서
|
| 12 |
12
제 1항에 있어서,상기 제2 여기층은 금속, 반도체, 투명 전도 산화물, 탄소계 물질 또는 칼코지나이드 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광섬유 표면 플라즈몬 공진 센서
|
| 13 |
13
제 1항에 있어서,상기 광 도파로층은 상기 코어부에 입사되는 입사광의 파장에서 광학적으로 투명한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광섬유 표면 플라즈몬 공진 센서
|
| 14 |
14
제 1항에 있어서,상기 광섬유와 상기 제1 여기층 사이에 위치하는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 표면 플라즈몬 공진 센서
|
| 15 |
15
제 1항에 있어서,상기 광섬유와 상기 제1 여기층 사이에 위치하는 계면 접착층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 표면 플라즈몬 공진 센서
|
| 16 |
16
제 1항에 있어서,상기 제2 여기층상에 위치하는 감지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 표면 플라즈몬 공진 센서
|
| 17 |
17
제 1항에 있어서,상기 코어부에 입사되는 입사광은 p-편광 성분 및 s-편광 성분 중 하나 이상을 포함하며,상기 제1 여기층 및 상기 제2 여기층의 구성 물질 또는 두께에 기초하여, 상기 p-편광 성분에 대응되는 하나 이상의 표면 플라즈몬 모드 공진 파장의 위치, 상기 하나 이상의 표면 플라즈몬 모드 공진 파장 사이의 간격, 및 상기 하나 이상의 표면 플라즈몬 모드 공진 파장과 상기 s-편광 성분에 대응되는 광 도파로 모드 공진 파장 사이의 간격 중 하나 이상이 결정되는 것을 특징으로 하는 광섬유 표면 플라즈몬 공진 센서
|
| 18 |
18
코어부, 상기 코어부를 둘러싸는 클래드부, 및 함몰 영역을 포함하는 광섬유에 상기 코어부를 통해 입사광을 입사시키는 단계; 상기 함몰 영역상에 위치하며, 제1 여기층, 제2 여기층 및 상기 제1 여기층과 상기 제2 여기층 사이의 광 도파로층을 포함하는 표면 플라즈몬 여기층을 제공하는 단계;상기 입사광을 광 도파로 모드로 상기 광 도파로층에 커플링시키는 단계;상기 광 도파로층에 커플링된 상기 입사광에 의해 상기 표면 플라즈몬 여기층에 표면 플라즈몬 파를 여기시키는 단계; 및상기 광섬유로부터 출사된 출사광을 측정함으로써 상기 표면 플라즈몬 여기층과 접촉하는 분석물을 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 센싱 방법
|
| 19 |
19
제 18항에 있어서, 상기 입사광은 p-편광 성분 및 s-편광 성분 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 센싱 방법
|
| 20 |
20
제 19항에 있어서, 상기 입사광을 광 도파로 모드로 상기 광 도파로층에 커플링시키는 단계는, 상기 s-편광 성분을 상기 광 도파로층에 커플링시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 센싱 방법
|
| 21 |
21
제 19항에 있어서, 상기 분석물을 검출하는 단계는, 상기 출사광에서 상기 p-편광 성분에 대응되는 신호 및 상기 s-편광 성분에 대응되는 신호를 비교함으로써 잡음 신호를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 센싱 방법
|
| 22 |
22
제 19항에 있어서, 상기 제1 여기층 및 상기 제2 여기층의 구성 물질 또는 두께를 조절함으로써, 상기 p-편광 성분에 대응되는 하나 이상의 표면 플라즈몬 모드 공진 파장의 위치, 상기 하나 이상의 표면 플라즈몬 모드 공진 파장 사이의 간격, 및 상기 하나 이상의 표면 플라즈몬 모드 공진 파장과 상기 s-편광 성분에 대응되는 광 도파로 모드 공진 파장 사이의 간격 중 하나 이상을 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 센싱 방법
|
