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지지기판;상기 지지기판 상에 형성된 제1 도전성 반도체층;상기 제1 도전성 반도체층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성된 제2 도전성 반도체층; 및상기 제2 도전성 반도체층 상에 형성된 격자 구조의 광확산층;을 포함하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 제2 도전성 반도체층과 광확산층 사이에는 절연층이 개재된 발광 소자
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제2항에 있어서,상기 절연층은 상기 광확산층의 두께보다 더 두껍게 형성된 발광 소자
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제2항에 있어서,상기 절연층은, 상기 제2 도전성 반도체층의 전면 또는 일 영역에 형성되며, 상기 제2 도전성 반도체층과 높은 굴절률 차이를 갖는 광투과성 재질로 구성된 발광 소자
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제4항에 있어서,상기 절연층은, SiO2, SiOx, SiN, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 선택된 적어도 하나의 절연성 재질로 구성될 수 있으며, 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지 계열로 형성된 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 광확산층은, 상기 절연층의 테두리부에서 중앙부로 갈수록 단면적이 점차적으로 크게 형성되는 발광 소자
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7
제1항에 있어서,상기 광확산층은, 상기 격자 사이의 간격이 비규칙성을 갖는 비주기 형태로 구성된 발광 소자
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제6항에 있어서,상기 광확산층은, 3
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제6항에 있어서,상기 광확산층은, Si, Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, P, Al, In, Pd, Co, Si, Ge 중 선택된 하나의 금속 또는 비금속 재질로 구성되고, 중앙부 격자 또는 테두리부나 모서리부에 구비된 격자들은 전극으로 형성된 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 광확산층은 격자들 사이에 공기 또는 절연물질로 충진된 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 광확산층은, 굴절률이 높은 TiO2, SrTiO2, GeO 중 선택된 하나의 재질로 형성된 발광 소자
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제11항에 있어서,상기 광확산층은, 격자들 중 하나 이상은 전극으로 구성되며, 상기 격자들 중의 중앙부 또는 테두리부나 모서리부에 형성된 발광 소자
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지지기판;상기 지지기판 상에 형성된 제1 도전성 반도체층;상기 제1 도전성 반도체층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성된 제2 도전성 반도체층; 및상기 제2 도전성 반도체층 상에 적층되며, 금속 입자가 혼입된 실리콘 기반의 광확산층;을 포함하는 발광 소자
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제13항에 있어서,상기 광확산층은, 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 질화물로 구성되며, 상기 금속 입자는 규칙적 또는 비규칙적으로 상기 광확산층에 혼입된 발광 소자
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제13항에 있어서,상기 금속 입자는 Au, Ag, Ni, W, Mo, Cu, Al, Ta, Ag, Pt, Cr 중 선택된 하나의 금속 재질로 구성된 발광 소자
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제1항 내지 제15항의 발광 소자를 포함한 발광 소자 패키지
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