맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

Ⅲ족 금속원소 질화물의 미세결정 제조방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2015123387
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 질화갈륨 (GaN), 질화인듐 (InN) 및 질화알루미늄 (AlN)과 같은 III족 금속원소의 질화물의 미세 결정을 제조하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 정방향 또는 역방향으로 회전가능한 회전날개가 부착된 가스도입관을 통해 암모니아 가스를 III족 금속원소 용융물 내부로 주입하여 암모니아 가스와 III족 금속원소를 직접 화학반응 시킴으로써 간편한 방법으로 수∼ 수십 μm 크기의 미세한 III족 금속원소의 미세결정을 제조할 수 있다.
Int. CL C30B 25/00 (2006.01)
CPC C30B 25/14(2013.01) C30B 25/14(2013.01) C30B 25/14(2013.01) C30B 25/14(2013.01)
출원번호/일자 1019980023945 (1998.06.24)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0264159-0000 (2000.05.25)
공개번호/일자 10-2000-0002944 (2000.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.06.24)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박용주 대한민국 서울특별시 강북구
2 김은규 대한민국 서울특별시 강북구
3 민석기 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.06.24 수리 (Accepted) 1-1-1998-0075026-32
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.06.24 수리 (Accepted) 1-1-1998-0075027-88
3 특허출원서
Patent Application		 1998.06.24 수리 (Accepted) 1-1-1998-0075025-97
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
10 등록사정서
Decision to grant		 2000.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0099158-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

850℃ ∼ 1100℃의 온도에서, 갈륨, 알루미늄 및 인듐 중에서 선택된 III족 원소 용융물 내부로 나선형 모양의 회전날개가 부착된 암모니아 가스도입관을 잠기게 하여, 상기 가스도입관을 통해 암모니아 가스를 상기 III족 원소 용융물 내부로 주입하는 한편, 상기 회전날개를 정방향 또는 역방향으로 회전시킴으로써 III족 원소와 암모니아 가스를 직접 화학반응시킴을 특징으로 하는 III족 원소 질화물의 미세결정의 제조방법

2 2

제 1항에 있어서, III족 원소가 갈륨인 것이 특징인 방법

3 3

제 1항 또는 2항에 있어서, 화학반응 후에 염산(HCl) 혹은 부피비 1:1의 질산(HNO3)+불산(HF)의 혼합물 또는 왕수 (3 염산 + 1 질산)의 용액을 잔류하는 III족 원소와 반응시켜 잔류하는 III족 원소를 제거함으로써 III족 원소 질화물 미세정을 추출함을 특징으로 하는 방법

4 4

III족 원소 용융물을 수납할 반응용기(4)가 내장된 반응관(2), 반응관(2)를 지지하는 상하 이동가능한 받침대(5), 정방향 또는 역방향으로 회전가능한 나선형 회전날개(6)가 구비되어 있는 III족 원소 용융물 내부로 암모니아 가스를 도입하기 위한 가스도입관(7), 및 반응관(2)의 외주부에 형성된 1,200℃까지 승온가능한 전기로(1)로 이루어진 III족 원소의 질화물 미세결정 제조용 장치

5 5

제 4항에 있어서, 나선형 모양의 회전날개가 부착된 가스도입관이 석영재료 또는 PBN (pyrolytic boron nitiride)으로 제작된 것이 특징인 장치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.