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질소플라즈마를이용한선택적금속박막증착방법및그를이용한다층금속연결배선방법

  • 기술번호 : KST2015123389
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 건식 식각공정을 이용하지 않고 선택적으로 패터닝된 금속박막을 제조하는 방법 및 그를 이용한 기억소자 및 비기억소자(이하 "소자")용 다층 금속 연결배선 방법을 제공한다.확산방지막(TiN) 및 산화막(SiO2 또는 BPSG)으로 패터닝된 반도체 기판상에 소정 온도, 압력, 주파수 및 전력 조건하에서 질소 플라즈마를 소정 시간동안 방전하여 기판을 플라즈마 처리하고, 그 위에 유기화학증착법을 사용하여 금속원료를 증착하는 금속박막 증착단계로 이루어진다.본 발명에 의한 선택적 금속박막 증착방법은 종래의 건식 식각공정이나 다마신에 비하여 공정이 간단하고, 우수한 특성의 금속박막을 형성할 수 있으며, 현재 반도체소자의 주배선재료인 알루미늄보다 뛰어난 전기적, 물리적 특성을 갖고 있는 구리를 배선재료로 쓸 수 있게 됨으로써 우수한 특성의 반도체 소자를 제작할 수 있게 되었다.
Int. CL C23C 16/00 (2006.01)
CPC H01L 21/76856(2013.01) H01L 21/76856(2013.01) H01L 21/76856(2013.01)
출원번호/일자 1019980008282 (1998.03.12)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0286253-0000 (2001.01.11)
공개번호/일자 10-1999-0074592 (1999.10.05) 문서열기
공고번호/일자 (20010502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.03.12)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민석기 대한민국 서울특별시 영등포구
2 김은규 대한민국 서울특별시 강북구
3 김영석 대한민국 서울특별시 동대문구
4 곽성관 대한민국 제주도 제주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1998-0026351-28
2 특허출원서
Patent Application		 1998.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1998-0026349-36
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1998-0026350-83
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0065815-89
11 의견서
Written Opinion		 2000.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2000-5133342-16
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.05.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5133346-98
13 등록사정서
Decision to grant		 2000.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0344384-13
14 FD제출서
FD Submission		 2001.01.29 수리 (Accepted) 2-1-2001-5013371-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

소정 온도 및 압력조건하에서 소정전력을 가지는 13

2 2

제1항에 있어서, 상기 확산방지막(7)은 질화티타늄(TiN) 박막이며, 산화막(8)은 이산화규소(SiO2) 및 보로포스포실케이트 글라스(BPSG)중 하나인 것을 특징으로 하는 선택적 금속박막 증착방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 30W의 플라즈마전력, 0

4 4

상기 제1항 내지 제3항 중 하나의 항에 의한 방법을 이용하는 반도체소자용 다층 금속 연결배선 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.