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이온빔을이용한산화물기판표면의전처리방법및이를이용한질화물박막형성방법

  • 기술번호 : KST2015123411
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에너지를 가지는 반응성 이온입자를 기판표면에 조사함으로써, 산화물 기판표면을 질화물로 개질시키는 방법이며, 이렇게 표면개질된 기판에 성장하는 박막의 성질을 변화시킬 수 있으며, 결정성등 그 특성이 뛰어난 박막을 형성할 수 있다. 특별히 예를 들면, 종래의 열처리로 이루어지는 기판처리에 의해서는 고품위 GaN박막을 형성하기에는 Al2O3기판이 한계를 가지고 있었으나, Al2O3기판에 본 발명에 의한 이온빔 표면처리를 하여 우선 기판상에 AlN을 형성시키고, 그 위에 GaN을 증착시키므로써 물성이 우수한 고품위 GaN박막을 형성시킬 수 있다.
Int. CL H01J 37/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019970061766 (1997.11.21)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0287362-0000 (2001.01.26)
공개번호/일자 10-1999-0041209 (1999.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.11.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고석근 대한민국 서울특별시 성북구
2 최원국 대한민국 서울특별시 양천구
3 금동화 대한민국 서울특별시 양천구
4 정형진 대한민국 서울특별시 동대문구
5 변동진 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1997-0194696-70
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1997-0194697-15
3 특허출원서
Patent Application		 1997.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1997-0194695-24
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2000.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2000-0000048-26
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.02.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0044702-92
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.04.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5119894-67
13 의견서
Written Opinion		 2000.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2000-5119886-02
14 등록사정서
Decision to grant		 2000.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0341922-63
15 FD제출서
FD Submission		 2001.02.01 수리 (Accepted) 2-1-2001-5016730-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

산화물 기판에 반응성가스를 주입하면서 100∼10000eV의 에너지를 가지는 반응성 N2+이온빔을 일정량만큼 조사하여 상기 기판 표면을 질화물로 표면 개질하는 기판 표면 전처리 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 산화물 기판은 Al2O3 기판이고, 상기 반응성 이온빔은 1keV의 에너지를 가지는 N2+ 이온빔이며, 상기 표면 개질에 의하여 기판상에 형성되는 질화물은 AlN인 것을 특징으로 하는 기판 표면 전처리 방법

3 3

산화물 기판에 반응성가스를 주입하면서 100∼10000eV의 에너지를 가지는 반응성 N2+이온빔을 일정량만큼 조사하여 상기 기판 표면을 질화물로 개질시키는 기판 표면 전처리 단계와,

상기 표면 개질된 기판상에 증착기법에 의하여 상기 단계에서 표면상에 형성된 중간 질화물과 다른 종류의 질화물 박막을 형성시키는 단계로 이루어지는 박막증착방법

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 산화물 기판은 Al2O3이고, 상기 반응성 이온빔은 1keV의 에너지를 가지는 N2+이온빔이며, 상기 표면의 전처리에 의하여 기판상에 형성되는 중간질화물은 AlN, 상기 질화물박막은 GaN박막인 것을 특징으로 하는 박막증착방법

5 5

제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 증착기법은 유기화학 증착기법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 분자선 증착기법(Molecular Beam Epitaxy), 개량플라즈마 CVD 및 열증착, 이온빔스퍼터링, 고주파스퍼터링, 직류스퍼터링과 같은 물리 증기증착기법으로 구성되는 군에서 선택되는 하나의 증착기법인 것을 특징으로 하는 박막증착방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03215674 JP 일본 FAMILY
2 JP11251245 JP 일본 FAMILY
3 US06099917 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP11251245 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP3215674 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH11251245 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US6099917 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.