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피제트티 박막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015123446
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 피제트티(PZT) 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 졸-겔 스핀 코팅법으로 백금전극과 PZT 박막 사이에 박막과 같은 페로브스카이트 구조를 갖는 티탄산납(PbTiO3)의 촉진층을 삽입하고 백금전극과 반도체기판 사이에 확산 장벽용 알루미나(Al2O3) 완충층을 삽입함으로서, 저온에서의 페로브스카이트 상형성을 용이하게 하며 고온에서의 물성저하 없이 우수한 유전 및 강유전 특성을 발현하는 비휘발성 메모리용 PZT 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의한 PZT 박막은 현재 메모리 반도체 산업에서 가장 커다란 문제점으로 대두되는 저온에서의 페로브스카이트 단일상의 형성과 확산방지 및 피로현산을 개선시킬 수 있기 때문에 장치의 의존성이 적은 졸-겔법이 갖는 경제적인 면 등의 장점을 살릴 수 있음과 동시에 특성형상을 위해 값비싼 단결정 기판 등으로 대체하지 않고 실제 반도체 소자 제조공정에서 사용되는 반도체기판을 아무 문제없이 직접 적용할 수 있으므로 그 응용성을 확대할 수 있다.
Int. CL H01L 41/02 (2006.01) H01L 27/108 (2006.01) H01L 27/04 (2006.01)
CPC H01L 41/1876(2013.01) H01L 41/1876(2013.01) H01L 41/1876(2013.01)
출원번호/일자 1019960038203 (1996.09.04)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0234000-0000 (1999.09.15)
공개번호/일자 10-1998-0019932 (1998.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (19991215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.09.04)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오영제 대한민국 서울특별시 영등포구
2 김승현 대한민국 서울특별시 용산구
3 정형진 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.09.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0134068-98
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.09.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0134069-33
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.09.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0134070-80
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 등록사정서
Decision to grant		 1999.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0256610-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

반도체기판과, 상기 반도체기판 상에 형성되는 알루미나(Al2O3) 완충층과, 상기 알루미나(Al2O3) 완충층 상에 증착되는 백금전극과, 상기 백금전극 상에 증착되는 티탄산납(PbTiO3) 촉진층과, 상기 티탄산납(PbTiO3) 촉진층 상에 증착되는 PZT 박막을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 피제트티(PZT) 박막

2 2

반도체기판 상에 알루미나(Al2O3) 완충층을 증착하는 공정과, 이후 상기 알루미나 (Al2O3) 완충층 상에 백금전극을 증착하는 공정과, 이후 상기 백금전극 상에 티탄산납(PbTiO3) 촉진층을 증착하는 공정과, 이후 상기 티탄산납(PbTiO3) 촉진층 상에 PZT박막을 증착하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 피제트티(PZT) 박막 제조 방법

3 3

제2항에 있어서, 상기 알루미나(Al2O3) 완충층 및 티탄산납(PbTiO3) 촉진층은 각각 100Å 이하의 두께로 증착하여 제조하는 것을 특징으로 하는 피제트티(PZT) 박막 제조방법

4 4

제2항에 있어서, 상기 알루미나(Al2O3) 완충층 및 티탄산납(PbTiO3) 촉진층을 증착하는 공정은 알루미나(Al2O3) 및 티탄산납(PbTiO3) 코팅용 졸을 0

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03118702 JP 일본 FAMILY
2 JP10116965 JP 일본 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP10116965 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP3118702 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH10116965 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.