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산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법

  • 기술번호 : KST2015123458
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전류차단구조와 활성층을 동시에 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 먼저, 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 사용하여 V자형 또는 U자형의 홈을 형성하고, 상기 형성된 V자형 또는 U자형홈의 가장 깊은곳에 양자점 또는 양자세선을 형성하며 그 다음, 상기 양자점 또는 양자세선이 형성된 갈륨비소기판상에 갈륨비소에피층을 성장시키고 그 갈륨비소에피층에 이온을 주입하거나 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성하여, 그 공정단계가 복잡하고, 미세구조를 형성하는 것이 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소와 산화알루미늄상에 갈륨비소에피층을 성장시켜 그 격자결함의 차를 이용하여 활성층과 전류차단구조를 동시에 형성함으로써 공정단계를 단순화하고, 용이하게 미세구조를 형성하며, 또한 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.
Int. CL H01S 3/00 (2006.01)
CPC H01S 5/18308(2013.01) H01S 5/18308(2013.01) H01S 5/18308(2013.01) H01S 5/18308(2013.01)
출원번호/일자 1019970005288 (1997.02.21)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0234005-0000 (1999.09.15)
공개번호/일자 10-1998-0068604 (1998.10.26) 문서열기
공고번호/일자 (19991215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.02.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성일 대한민국 서울특별시 노원구
2 박영균 대한민국 서울특별시 서대문구
3 김용 대한민국 경기도 고양시 일산구
4 김은규 대한민국 서울특별시 강북구
5 민석기 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.02.21 수리 (Accepted) 1-1-1997-0017238-21
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.02.21 수리 (Accepted) 1-1-1997-0017240-13
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.02.21 수리 (Accepted) 1-1-1997-0017239-77
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 등록사정서
Decision to grant		 1999.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0228870-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

갈륨비소기판(1)의 상부에 알루미늄갈륨비소막(2)을 증착하는 단계와; 상기 증착된 알루미늄갈륨비소막(2)의 상부에 포토레지스트(3)를 도포하고, 패턴을 형성하는 단계와; 상기 패턴이 형성된 포토레지스트(3)를 식각마스크로 하여 알루미늄갈륨비소막(2)과 갈륨비소기판(1)의 일부를 식각하여 V자형 홈을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트(3)를 제거하는 단계와; 상기 형성된 V자형 홈의 좌우측 알루미늄갈륨비소막(2)을 산화하여 산화알루미늄막(4)으로 변환하는 단계와; 상기 V자형 홈이 형성된 갈륨비소기판(1)과 그 상부의 산화알루미늄막(4)의 상부전면에 유기금속 화학증착법을 사용하는 갈륨비소에피층을 성장시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 갈륨비소기판(1)은 (100)방향의 것을 사용하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법

3 3

제1항에 있어서, 알루미늄갈륨비소막(2)은 그 알루미늄의 몰수비가 0

4 4

제1항에 있어서, V자형 홈의 형성단계는 일정비율의 H2SO4 : H2O2 : H2O 용액을 사용하는 습식식각 방법을 이용하여, 상기 알루미늄갈륨비소막(2) 및 갈륨비소기판(1)의 일부까지 (011)방향으로 식각하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법

5 5

제1항에 있어서, 유기금속 화학증착법은 고순도 수소개스를 수송개스로 사용하고, 총 유량은 분당 5 또는 8리터로 하며, 3족 유기금속 원료는 트리메틸갈륨, 트리메틸알루미늄, 트리메틸인듐을 사용하고, 5족 유기금속 원료는 비소개스를 사용하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.